2017高考(新课标)化学二轮专题复习(检测)专题五第15讲物质结构与性质.doc

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2017高考(新课标)化学二轮专题复习(检测)专题五第15讲物质结构与性质

专题五 选修内容 第15讲 物质结构与性质 1.(2016·全国Ⅱ卷)东晋《华阳国志·南中志》卷四中已有关于白铜的记载云南镍白铜(铜镍合金)闻名中外曾主要用于造币亦可用于制作仿银饰品。回答下列问题:(1)镍元素基态原子的电子排布式为___________________能级上的未成对电子数为________。(2)硫酸镍溶于氨水形成Ni(NH)6]SO4蓝色溶液。Ni(NH3)6]SO4中阴离子的立体构型是__________________。在Ni(NH)6]2+中Ni+与NH之间形成的化学键称为________提供孤电子对的成键原子是________。氨的沸点________(填“高于”或“低于”)PH原因是_________________________________;氨是________分子(填“极性”或“非极性”)中心原子的轨道杂化类型为________。(3)单质铜及镍都是由__________键形成的晶体;元素铜与镍的第二电离能分别为:=1 958 kJ/mol、=>Ni的原因是___________________________________________________。(4)某镍白铜合金的立方晶胞结构如图所示。 ①晶胞中铜原子与镍原子的数量比为________。若合金的密度为a=________。解析:(1)Ni是28号元素根据核外电子的排布规律可知其基态原子的核外电子排布式为1s。根据洪特规则可知原子3d能级上8个电子尽可能分占5个不同的轨道其未成对电子数为2。(2)①SO中原子的价层电子对数为=4成键电子对数为4故SO的立体构型为正四面体。Ni(NH3)6]2+中由于Ni+具有空轨道而NH中N原子含有孤电子对两者可通过配位键形成配离子。由于 NH分子间可形成氢键故NH的沸点高于PH。NH分子中原子形成3个σ键且有1个孤电子对原子的轨道杂化类型为sp立体构型为三角锥形。由于空间结构不对称属于极性分子。(3)Cu、Ni均属于金属晶体它们均通过金属键形成晶体。因Cu元素基态原子的价层电子排布式3d104s1,3d能级全充满较稳定失去第2个电子较难因此>。(4)①由晶胞结构图可知原子处于立方晶胞的顶点原子处于立方晶胞的面心根据均摊法每个晶胞中含有Cu原子的个数为6×=3含有Ni原子的个数为8×=1故晶胞中Cu原子与Ni原子的数量比为3∶1。根据=ρV可得晶胞的质量为(64×3+59)g=-3NA,则==。答案:(1)1s2或Ar]3d 2(2)①正四面体 ②配位键 N高于  NH分子间可形成氢键 极性 sp(3)金属 铜失去的是全充满的3d电子镍失去的是4s电子(4)①3∶1 ②(2015·山东卷)氟在自然界中常以CaF2的形式存在。(1)下列关于CaF的表述正确的是________。+与F-间仅存在静电吸引作用-的离子半径小于Cl-则CaF的熔点高于CaCl阴阳离子比为2∶1的物质均与CaF晶体构型相同中的化学键为离子键因此CaF在熔融状态下能导电(2)CaF2难溶于水但可溶于含Al+的溶液中原因是(用离子方程式表示)。已知AlF在溶液中可稳定存在。(3)F2通入稀NaOH溶液中可生成OF分子构型为________其中氧原子的杂化方式为________。(4)F2与其他卤素单质反应可以形成卤素互化物例如ClF、BrF等。已知反应Cl(g)+3F(g)===2ClF3(g) Δ=-313 kJ/mol-F键的键能为键的键能为242 kJ/mol则ClF中Cl—F键的平均键能为________kJ/mol。ClF的熔、沸点比BrF的________(填“高”或“低”)。解析:(1) a, +与F-既有静电引力作用也有静电排斥作用错误;b离子所带电荷相同-的离子半径小于Cl-所以CaF晶体的晶格能大则CaFCaCl2,正确;晶体构型还与离子的大小有关所以阴阳离子比为2∶1的物质不一定与CaF晶体构型相同错误;d中的化学键为离子键在熔融状态下发生电离因此CaF在熔融状态下能导电正确。(2)CaF2难溶于水但可溶于含Al+的溶液中生成了AlF所以离子方程式为:Al++3CaF++ (3) OF2分子中O与2个F原子形成2个键O原子还有2对孤对电子所以原子的杂化方式为sp空间构型为角形或V形。(4)根据焓变的含义可得:242 kJ·mol-1+3×159 kJ·mol-1-6×-F=-313 kJ·mol-1解得Cl—F键的平均键能-F=172 kJ·mol-1;组成和结构相似的分子晶体相对分子质量越大范德华力越大所以ClF的熔、沸点比BrF的低。答案:(1)bd (2)Al3++3CaF++AlF (3)角形或V形 sp (4)172 低(2016·全国Ⅲ卷)砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料可用于制作

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