等离子体与辅助CVD技术.pptVIP

薄膜材料制备技术Thin Film Materials;第六讲;提 要 ; 放电击穿后，气体成为具有一定导电能力的等离子体，它是一种由离子、电子及中性原子和原子团组成，而宏观上对外呈现电中性的物质存在形式 ;各种等离子体的电子温度与等离子体密度;等离子体密度 ? 1010/cm3 (1/10000的电离率) 等离子体中电子的温度Te ? 2 eV = 23000K 离子及中性原子处于低能态，如 300?500K 但，等离子体中还存在着大量的活性基团： 离子、原子、激发态的分子和原子、自由基 如: CH4+, C, CH4*, C*, CH3;等离子体和等离子体中的微观过程;等离子体和等离子体中的微观过程;不同类型的等离子体;等离子体辅助化学气相沉积（PECVD);PECVD 的主要优点;热CVD和等离子体辅助CVD的 典型沉积温度范围;薄膜 PECVD 低温沉积的主要优点;PECVD过程中的微观过程;气体分子与电子碰撞，产生出活性基团和离子；活性基团扩散到衬底表面 活性基团也可与其他气体分子或活性基团发生相互作用，进而形成沉积所需的新的化学基团；化学基团扩散到衬底表面 到达衬底表面的各种化学基团发生各种沉积反应并释放出反应产物 离子、电子轰击衬底造成的表面活化; 衬底温度升高引起的热激活效应等;但太阳能电池、集成电路等领域均需要在低温下制备Si薄膜 利用PECVD技术，则可以将Si薄膜的沉积温度降低至300?C以下; 并产生少量的离子和其他活性基团 在上述SiH3 、SiH2 、H三种活性基团中，浓度较高的SiH3、SiH2被认为是主要的生长基团;第一个 SiH3 基团在 H 覆盖的生长表面上扩散 它从 H 覆盖的薄膜表面上提取一个 H 原子, 从而留下一个 Si 的空键 另一个扩散来的 SiH3 基团在此 Si 空键位置上形成一个新的 Si–Si 键合 ……. ? 需要: 形成足够多、活性高的 SiH3;在Si薄膜的表面上，覆盖着一层化学吸附态的H，而H的吸附有助于降低Si薄膜的表面能 在吸附了H的表面上，SiH3等活性基团的凝聚系数Sc很小。只有在那些H已经脱附了的表面位置上，SiH3等的凝聚系数才比较大 因此，在非晶Si薄膜的沉积中，H的脱附是薄膜沉积过程的控制性环节;PECVD方法制备非晶Si薄膜的过程;辉光放电等离子体可细分为： 直流辉光放电… 射频辉光放电… 微波辉光放电… 弧光放电等离子体可细分为： 直流电弧放电… 射频电弧放电…;——— ;由直流辉光放电，就可得到下列分解过程 SiH4?SiH3+H 而在接近等离子体的范围内，就能得到Si薄膜的沉积 衬底可以放置在阴极，阳极，或其他位置上。不同的放置方式，会使薄膜分别受到离子、电子不同粒子的轰击。衬底放置在阴极还是阳极上，取决于薄膜是否需要离子的轰击。在制备非晶Si时，多将衬底放在阳极上；而在制备C薄膜时，又多将其放在阴极上; 加热至炽热的金属丝在其周围也可以产生气相活性基团。因而，使用热丝CVD可以在低温下实现非晶Si、微晶Si的沉积。这种方法的优点是没有等离子体的轰击和损伤;在PECVD装置中，为保证对薄膜均匀性的要求，因而衬底多置于阳极或阴极之上。但这要求薄膜具有较好的导电性 利用射频辉光放电的方法即可避免这种限制；它可被用于绝缘介质薄膜的低温沉积 射频PECVD方法有两种不同的能量耦合方式： ;石英管式射频等离子体CVD装置 ;电容耦合的射频PECVD装置;直流或电容耦合式的PECVD有两个缺点： 电感耦合式的PECVD可以克服上述的缺点，即它不存在离子对电极的轰击和电极的污染，也没有电极表面辉光放电转化为弧光放电的危险，因而可产生高出两个数量级的高密度的等离子体;电感耦合射频PECVD装置;频率为2.45GHz的微波也可被用于无电极放电的PECVD 微波谐振腔中不断振荡的微波电场可有效激发等离子体，其能量转换率高，可产生更高气体离化率的高密度等离子体 ;1/4波长谐振腔式微波PECVD装置;钟罩式微波等离子体CVD装置的示意图 ;ECR-PECVD也是微波PECVD的一种 磁场B中, 电子的回旋共振的频率为：;电子回旋共振PECVD装置的示意图 ;无电极放电 能在低气压(1.33x10-3?0.133 Pa)下产生高密度的等离子体；薄膜沉积过程的温度更低 气体离化率高，一般在10?100% 离子能量的分散度小，方向性强;(a)无规入射中性基团的沉积 (b)垂直入射和(c)倾斜入射离子束的沉积 ;电弧等离子体是一种近平衡的热等离子体，其中电子的温度与原子的