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TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导
TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导
摘要：介绍在TMS320C5410环境下对Am29LV200B Flash存储器进行程序烧写，并且实现了TMS320C5410上电后用户程序并行自举引导。
关键词：Am29LV200B Flash DSP 并行自举引导 自举表
STL A,*AR5
.title “FLASH”
8009H
0200
程序代码2
……
……
……
811DH
FC00
程序代码
811EH
0000
结束
……
……
……
FFFFH
8000
自举表存放首地址
整个并行自举引导过程为：C5410上电复位后，判断MP/MC=0 处于微计算机工作方式，从片内ROM的0FF80H处执行中断向量表的分支转移指令（BD 0F800H），使程序跳转至0F800H处执行自举引导程序。自举引导程序完成初始化后，读取数据空间的0FFFFH地址的内容，找到自举表首地址8000H，从8000H处开始读取内容。首先，是16位自举标记（10AA）。然后分别是寄存器SWWSR及BSCR的内容，程序入口地址、代码段长度、存放代码段的目标地址等信息。最后，根据这些信息把Flash的8008H到811EH的程序搬运到片内RAM的100H开始的地址中，跳转至片内RAM 100H、即PC为100H、XPC为0，开始执行用户程序，完成用户程序的并行自举过程。
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