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第四章 MOS 模拟集成电路基础 §4.1 场效应晶体管 §4.1场效应晶体管 4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 (2) uDS对iD的影响 4.1.2 JFET伏安特性曲线 2 输出特性曲线 4.1.3 绝缘栅场效应管 1 E型N MOSFET的工作原理 4.1.3 绝缘栅场效应管 4.1.3 绝缘栅场效应管 (4)输出特性 (4)输出特性 4.1.3 绝缘栅场效应管 * §4.1 场效应晶体管 §4.2 JFET放大电路 休息1 休息2 §4.3 MOS模拟集成电路基础 返回 引言 4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 休息1 休息2 4.1.2 JFET伏安特性曲线 返回 4.1.3 绝缘栅场效应管 4.1.4 FET小信号等效模型 休息1 休息2 引言 返回 S 源极 D 漏极 G 栅极 G S D G S D G 栅极 D 漏极 S源极 休息1 休息2 返回 G S D 休息1 休息2 返回 G S D iD 休息1 休息2 N 返回 IDSS 击穿区 I区 II区 III区 6V 休息1 休息2 返回 IDSS 6V 击穿区 I区 III区 II区 休息1 休息2 返回 休息1 休息2 返回 衬底引线 P SiO2 N+ N+ S G D E型N MOSFET E型P