单光子探测器APD无源抑制特性研究.pdfVIP

维普资讯 第27卷 第4期 应用光学 Vo1．27．No．4 2006年 7月 JournalofAppliedOptics July，2006 文章编号 ：1002—2082(2006)04—0355—04 单光子探测器APD无源抑制特性研究 吕 华 ，彭孝东 (1．广东工业大学 物理实验中心，广州 510090；2．华南农业大学 工程学院，广州 510642) 摘 要 ： 为了选择高性能单光子探测器件，采用无源抑制方法对工作在盖革模式下的雪崩光电 二极管 (APD：avalanchephotodiode)特性进行 了测量。利用APD两端的电压在雪崩后趋于稳定 的特性 ，获得 了一种确定暗击穿电压的方法。特性测量实验结果表 明：降低温度能加宽APD的最 佳工作区域范围，并提高最佳增益值，从而使APD具有更高的灵敏度。通过对EGG系列APD和 外延APD暗电流和信噪比特性进行比较，发现外延 APD具有 良好的噪声性能和信噪比性能，适 用于单光子探测。 关键词 ：量子保密通信 ；雪崩光电二极管；单光子探测器；无源抑制特性 中图分类号 ：O43 文献标 志码 ：A Researchon characteristicsofavalanche photodiodewithpassivequenchingmethod LU Hua 。PENG Xiao—dong (1．CenterofExperiment，GuangdongUniversityofTechnology，Guangzhou510090，China； 2．CollegeofEngineering，SouthChinaAgricultureUniversity，Guangzhou510642，China) Abstract： The passive quenching method isused to characterize InGaAs／InP avalanche photodiode (APD)operating inGeigermode．Basedon thefeature thatthevoltagesofAPD terminalstendtobestabilizedafteravalanche，anew passivequenchingmethod isputforward to determine dark breakdown voltage．The experimentindicated，with the decreaseofthe temperature，theoptimum operatingareaofAPD becamewider，theoptimum gainofAPDwas increased。andAPD’Ssensitivitywasimproved．Bycomparingthedarkcurrentand thesignal— to—noiseratio ofEGG with thoseofEpitaxy APD，itisdiscovered thatEpitaxyAPD is preferableforsinglephoton detectiondueto itslow noiselevelandhigh signal—to—noiseratio． ThestudyoncharacteristicsofdifferentAPDsishelpfultochoosepropertypeofsinglephoton detectorforquantum communication． Key words： quantum c