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§3-6 位错的增殖、塞积与交割 现象：晶体通过位错的滑移产生塑性变形，但塑性变 形以后，位错的数量不但没有减少，反而增加了。 这些都与位错的增殖、塞积、交割有关。 一. 位错的增殖 位错增殖的方式有多种；增殖位错的地方 称为位错源。在塑性较好的晶体中以滑移方式 进行。 常见的滑移增殖机制：弗兰克-瑞德 （Frank-Read ）位错源增殖机制和双交滑移增 殖机制 弗兰克-瑞德 （Frank-Read ）位错源增殖机制 使位错源进行增殖的临界切应力为： 式中：L为A 、B间的距离，等于2R 。 甲苯胺中的位错 Si 单晶中的F-R源，位 错线以Cu沉淀缀饰后， 以红外显微镜观察。 双交滑移增殖机制 交滑移的含义：螺位错从一个滑移面转到与其滑 移面相交的另一个滑移面上滑移。（螺位错在某一滑 移面上运动受到阻碍时，可能离开原滑移面转向与其 相交的另一个滑移面上继续滑移的过程。） 双交滑移：螺位错滑移时因局域切应力变化而改 变滑移面，又因局域切应力减弱而回到原滑移面继续 滑移的过程。 C / D m A m m m B n n 注：局域切应力的作用仅使一段位错发生双交滑移， 因而在双交滑移发生由次滑移面至主滑移面转化时， 出现相对固定的两点，它就以F-R源开始增殖。 二. 位错的塞积 位错滑移时，在滑移面上遇到障碍物（晶界、第二相 等），位错将在障碍物处塞积，形成塞积群。 越靠近障碍物，位错排列越密集，随距障碍物的距离增 大，位错间距增。 二. 位错的塞积 塞积群中，位错数N为： kπτ L N 0 Gb 其中， 为作用在滑移面上的外加分切应力；τ 0 L为位错源到障碍物的距离； G为切变弹性模量 K为系数：螺位错：k=1 刃位错：k=1- ν 障碍物受到的切应力为τ Nτ0 ，塞积群在障碍 物处产生应力集中，有可能在障碍物处产生微裂 纹，而导致晶体断裂。 不锈钢中晶界前塞积的位错 三. 位错的交割 定义：不同滑移面上运动的位错相遇发生 相互截割的过程。 位错交割的结果：在原来直的位错线上形 成一段一个或几个原子间距大小的折线，即割 阶与扭折。 割阶：形成的曲折线段不在位错所在的滑移面上。 扭折：形成的曲折线段处于位错所在的滑移面上。 几种典型的位错的交割 两个柏氏矢量b相互垂直的刃位错的交割 两个柏氏矢量相互平行的刃位错的交割 注：扭折对位错运动无阻碍，且不稳定，在位错线 张力的作用下将会消除。 刃位错和螺位错的交割（柏氏矢量相互垂直） 两个螺位错的交割（柏氏矢量相互垂直） 总 结： 晶体中两个运动位错交割，各自位错线都可能产生 割阶或扭折，割阶或扭折的柏氏矢量与原位错相同；割 阶或扭折的长度由另一位错的柏氏矢量的大小决定。 割阶都是刃型位错；而扭折可以是刃型的，也可以 是螺型的。 割阶因与原位错线不在同一滑移面上，对位错运动 产生阻碍作用。（当两者滑移不一致时，割阶只能