纳米ZNO半导体材料的电化学制备与控制.pptVIP

现在国内外制备ZnO的方法有很多。主要分为物理方法和化学方法。物理方法包括物理气相沉积法（PVD）、溅射法、高能球磨法、分子束外延法和脉冲激光沉积法。 * 化学方法包括沉淀法、化学气相沉积法、模板法、水热法、电沉积法和溶胶-凝胶法。 * 电沉积法制备纳米晶材料与其它制备方法相比具有以下优点： ⑴电沉积层具有独特的高密度和低孔隙率，结晶组织取决于电沉积参数，晶粒尺寸分布窄。 ⑵工艺上易通过改变电参数、电解液成分等条件来控制材料的化学成分、结晶组织和晶粒大小。 ⑶容易大量制备纳米晶纯金属、合金和复合材料，室温下即可形成合金。 ⑷有很好的经济性和较高的生产率。 ⑸所需的设备是常规的，现有的电镀和电铸工业已为其提供了广泛的基础，将该技术从实验室转向现有的电镀和电铸工业需要克服的技术障碍相对较小，初始投资低。 * 本论文主要研究纳米ZnO的电化学制备和它的性质. * 首先确定沉积体系：ZnCl2+柠檬酸 添加剂是KCl 然后利用循环伏安法研究其电行为： 循环伏安法是研究电沉积过程中的电化学反应：铂丝作为工作电极，铂片作为对电极，饱和甘汞电极作为参比。 三电极体系来进行电沉积 三电极体系：饱和甘汞电极（Saturate Calomel Electrode SCE） 作为参比电极，4.0 cm2的光谱纯石墨电极作为辅助电极，高纯度的铜片作为工作电极，带有 SiO2 隔膜的三槽电解池。 用 (HDV-7C) 恒电位仪电沉积，沉积电位在-1.5 V 在90℃下沉积90min。 * 形貌结构表征 用扫描电镜（SEM，JSM-6330F）对沉积的薄膜进行形貌观察 。 电子能谱（EDS，S-520/ISIS-300）研究其组成成分 X射线粉末衍射（XRD）（D/Max-IIIA，Rigaku，Japan）测定其晶体结构 用透射电镜?（TEM）对所制备的薄膜进行内部结构观察。 用荧光光度计进行光学性质的表征。 * 下面是利用循环伏安法研究沉积体系的电化学行为。从图中可以看出：从A和B可知加入柠檬酸，Zn的还原电位负移；电位负移表明了柠檬酸对Zn(Ⅱ)有抑制作用。C和B相比,ZN的还原电位只是左移一点点,而电流密度增加是很多.这可能是由于二者浓度比减少引起的. * 从上图中我们可以清楚地看到树枝状结构的ZnO成功地合成，并且树支上连有许多像叶子的小片,排列在主杆的两边。这些像叶子的小片的宽度在300-800纳米长度在0.5-1.5 微米范围内。叶子的厚度大约是200纳米. * A图显示了在柠檬酸的浓度是0.02摩每升的沉淀物溶液中，氧化锌晶体沉淀物的叶状结构是纺垂形的。图b则表明当柠檬酸的浓度减少为0.01摩尔每升时，氧化锌晶体沉淀物的叶状结构变小，而且大部分呈现针尖状的。此外，我们可以观察到图5b中的氧化锌晶体沉淀物结构上比图5a显示的氧化锌晶体沉淀物具有更多的分支。而且这也表明在原始的分支上会形成一些小分支。 * 图C是在柠檬酸的浓度为0.001摩每升得成的.从图中可知这些分支结构的形状会从叶状逐渐变成棒状，而且分枝数量大大增加.从a.b.c 图中可以看出随着溶液中柠檬的浓度减少，氧化锌的电沉积物量逐渐增加，而且形成更多的分支结构.从图D可以看出随着ZnCl2浓度的增加, * EDS结果表明我们合成的树枝状是ZnO。 * 这是薄膜的XRD图，从图中我们可以观察到氧化锌（002）和氧化锌（101）的峰,还观察到铜（111）和铜（200）.其中铜峰是来自于我们沉积用的CU基体.XRD结果表明获得的氧化锌结构是纤维锌矿结构。 * 图A是树枝状结构的高倍透射图,图B是主茎的高倍透射图.结果表明树枝状和主干都是单晶和具有相同的晶格参数.电子衍身也表明所得到的产物是单晶,该晶体的分支和主干的增长优先（0002）方向。 * 这是在0.25 M ZnCl2+0.1 M KCl+0.01 M citric acid溶液下沉积得到的纳米ZnO棒状结构图.直径大概在100-150之间. * 这是棒状结构的透射图.从;图中可以看到棒的直径大概是125nm.电子衍射图表明它是单晶,且生长方向是向0002. * 在385nm处看到有一个很强的紫外发射和在500nm处有一个弱的绿光发射.随着柠檬酸浓度的减少,在500nm处的发射强度越来越大. * 在385nm处看到有一个很弱的紫外发射和在500nm处有一个强的绿光发射.棒状和树枝状结构的荧光发射位置基本相同只是强度不同. The UV emission originated from the excitonic recombination corresponding to the band edge emission of ZnO.29-31 The origin of the green lumin