磁电子学讲座第三讲磁性金属多层膜中的巨磁电阻效应3.pdfVIP

磁电子学讲座 第三讲　磁性金属多层膜中的巨磁电阻效应 姜 宏 伟 ( 中国科学院物理研究所,北京　100080) 摘 　要 　　在许多磁性金属多层膜系统中都存在巨磁电阻效应 ,这些系统是由厚度为几个纳米的磁 层与非磁层交替重叠而构成. 出现巨磁电阻效应的必要条件是系统的磁化状态能被外加磁场所改变. 该 效应的物理原因是传导电子在界面处或磁层内的所谓自旋相关散射. 层间耦合随隔离层厚度变化而振荡 的现象 , 在隔离层为非磁过渡金属和贵金属的系统中普遍存在. 自旋阀多层结构在信息存储技术中磁电 阻“读出”头方面极具应用前景. 关键词 　　多层膜 ,巨磁电阻 ,层间耦合 　　通过信息高速公路 , 可以将一部电影的完 的磁电阻变化率. 由于这个结果远远超过了多 整信息传送到个人计算机的硬磁盘上 ,或者接 层膜中 Fe 层 MR 的总和 ,所以这种现象被称为 ( ) 收图像新闻、观赏体育比赛实况 , 或者坐在家 巨磁电阻效应 GMR . 图 1 是这种多层膜的 Δ 里和远在学校教室里的同学一起上课. 这些设 结构示意图及电阻变化率 R/ R 与外加磁场 想曾经被人们认为是十分遥远的 , 因为“动态 H 的关系曲线. 随后 ,世界各国的许多实验室 图像”的信息量巨大 ,个人计算机硬磁盘存储量 相继开展了 GMR 的研究工作 ,在短短几年的 不敷需要 , 可写光盘存取速度太慢 , 价格贵 , 时间里取得了引人注目的理论及实验成果 ,并 难普及. 但是 , 随着信息存储技术的突破 , 它 使研究成果迅速进入应用领域. 1995 年 ,美国 们即将变成现实. 据报道 , 美国国家存储工业 物理学会将 GMR 效应列为当年凝聚态物理中 ( ) ( ) 五个研究热点的首位. 协会 NSIC 和日本存储研究会 SIC 都计划在 2001 年实现每平方英寸 200 亿位字节存储密 本文将对 GMR 现象的发现、磁性金属多 度的技术开发目标 ,届时 , 个人计算机硬盘的 层膜中 GMR 效应的特点及 GMR 材料的应用 总容量将突破 1000 亿字节. 动态图像的传送、 前景作一简单介绍. 存储和处理的普及将极大地改变人们的社会生 活方式. 而实现这一突破的关键 , 则是厚度不 1 　GMR 效应的发现 ( ) 足万分之一毫米 几十纳米 的磁性金属多层 膜. 在这种薄膜中 ,存在一种新奇的物理现象 GMR 效应的发现并非偶然 , 它是长期以 ( 来人们对磁性本质问题探索的结果 , 而近代人 ———巨磁电阻效应 giant magnetoresistance , 缩 写为 GMR) . 工微结构高技术的发展为 GMR 效应的发展提 我们知道 , 磁场可以使许多金属的电阻发 供了技术条件. 生改变 , 只不过变化率很小 ,一般不超过 2 % — 早在 1856 年 ,英国著名物理学家 W 汤姆 3