《宽禁带半导体发光材料》2.1氮化物材料的性质1.pdfVIP

大纲 2.1.1 概述 2.1.2 晶体及能带结构 2.1.3 氮化物缺陷 2.1.4 氮化物极性 2.1.5 化学性质 2.1.6 光学性质 2.1.7 接触特性 2 参考书 • III族氮化物发光二极管技术及其应用 科学出版社 李晋闽 等 • 氮化物宽禁带半导体材料与电子器件 科学出版社 郝跃等 • LED器件与工艺技术 电子工业出版社 郭伟玲等 • Wide bandgap semiconductors, fundamental properties and modern photonic and electronic devices, Springer press, 2006, K. Takahashi, A. Yoshikawa, A. Sandhu • 预修课程：半导体物理，刘恩科等，电子工业出版社 3 半导体元素分布 4 半导体材料的发展 • 第一代半导体材料 （40-50年代）：以Si、Ge为代表。1947年，美国贝 尔实验室Bardeen和Brattain发明了Ge点接触晶体管，1948年Schockley 针对点接触晶体管不稳定特点，发明了面接触式晶体管，3人因此获得 了1956年诺贝尔物理学奖。1958年第一块锗集成电路研制成功，开辟了 半导体科学技术的新纪元，导致了电子工业革命。 • 第二代半导体材料 （60-70年代）：以GaAs为代表。尽管硅在微电子技 术应用方面取得巨大成功，但受制于带隙特点 （间接，1.12eV，红外， ，可见光1.6-2.8eV），硅基发光器件进展十分缓慢。20世纪60年代发 展了液相外延及气相外延等方法，生长出高质量GaAs、InP等单晶，促 进了第二代半导体应用。人类进入光纤通讯、移动通信、高速宽带信息 网络时代。 • 第三代半导体材料 （80-90年代）：以GaN、SiC为代表的宽禁带材料。 20世纪90年代，GaN为代表，主要是异质外延及p型掺杂的突破，不仅在 高频、高速、微波大功率器件的国防应用领域，而且在全色显示和全固 态白光照明等商业应用领域，都发挥了不可替代的作用，并触发了人类 社会照明技术革命 5 2.1.1概述 宽禁带半导体发光材料分类  III-V(direct) :AlN,GaN, InN,AlGaN,InGaN,BN(间接)  II-VI(direct) : • ZnO(3.3eV),CdO(2.3eV), MgO(7.9eV),BeO(10.6eV), ZnCdO(2.3-3.3),ZnMgO(3.3- 7.9),ZnBeO(3.3-10.6)