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第7章 存储器及集成555定时器 7.1 随机存储器 7.2 只读存储器 7.3 集成555定时器 7.1 随机存储器 存储器是用来存储二进制数的器件，采用半导体材料做成。根据使用功能的不同，半导体存储器可分为随机存储器(Random Access Memory,RAM)和只读存储器(Read-Only Memory，ROM)。 7.1.1 随机存储器的结构及工作原理 随机存储器简称RAM，它由存储单元和读/写电路组成，根据需要可以将二进制数据存入到指定的存储单元，又能从指定的存储单元读出数据。RAM的缺点是数据易丢失，即一旦断电，所存的数据全部丢失。RAM分为静态存储器(SRAM)和动态存储器(DRAM)。 7.1 随机存储器 1. RAM的基本结构 如图7-1所示，RAM由地址译码器、存储矩阵、读/写控制器等几部分组成，各个部分电路的作用分别如下。 ①地址译码器:对输入的地址码进行译码，以便唯一地选择存储矩阵中的一个存储单元。译码方式有单译码、双译码两种。单译码方式是指RAM中只设有一个译码器，n条地址线输入，经译码后产生2n种不同的输出，每一种输出对应一条连线，称为字线;双译码方式是将地址线分成行地址线和列地址线，经译码器译码，分别产生行字线(X)和列字线(Y)，由它们共同指定欲选择的存储单元。 7.1 随机存储器 ②存储矩阵:由许多存储单元构成，每个存储单元只可以写入或读出一位二进制数。 ③读/写控制器:对指定的存储单元进行写入或读出数据。 r:条地址线经地址译码器产生2n条字线，每条字线对应存储矩阵中的一行存储单元(共M个)，存储矩阵中的每个存储单元可以存放1位二进制数(0或1)，存储器的容量可表示为:存储容量=字数×位数=2n×M。容量的计算单位是二进制位(bit),8个二进制位叫做一个字节(Byte)，也就是8 bit = 1 Byte ,1 024个字节叫做1 KB ,1 024 KB叫做1 GB ,1 024 GB叫做1 TB。 7.1 随机存储器 如图7-2所示，共有8条地址线A0~A7，其中A0~A4为行地址线，产生25 = 32条行字线; A5~A7为列地址线，产生23= 8条列字线，每一条列字线同时对应4个存储单元(即4位二进制数)，故存储容量=32行字×8列字×4位=256×4位的存储器若地址A0~A7经行、列译码器分别对输入的地址进行译码后输出X31=1,Y0=1，指定(选中)图中用黑色小方块表示的4个存储单元，可以根据需要对它们进行读出/写入操作。 7.1 随机存储器 2. RAM的存储单元及工作原理 存储单元是存储器的核心部分，按工作方式不同可分为静态存储单元和动态存储单元两类，相应构成的存储器称为静态存储器SRAM和动态存储器DRAM，下面分别介绍。 (1)六管静态存储单元 如图7-3所示是由6只NMOS管(T1~T6)组成的存储单元存储器工作时，T1,T2可以看做电阻，相当于T3, T4的负载，T3, T4的输入与输出交叉连接，构成基本RS触发器，作为数据的存储单元。 7.1 随机存储器 由T3, T4构成的基本RS触发器的状态决定存储单元的状态，当T3饱和导通、 T4截止时，Q=1，为1状态;当T4饱和导通、T3截止时，Q=0，为0状态。 由行字线控制T5、T6门控管的导通或截止，从而控制触发器输出端与位线之间的连接状态;由列字线控制T7、T8门控管的导通或截止，从而控制位线与数据线之间的通断状态。 当存储单元所在的行字线和列字线都为1时，该单元才与数据线接通，即该存储单元才能被指定(选中)，这时可以通过读写电路对它进行读或写数据。 7.1 随机存储器 (2)单管动态存储单元 单管动态RAM的存储单元电路如图7-4所示，CS为存储电容，T为NMOS管，相当于电子开关，C0为电路的分布电容，读/写原理如下。 ①写数据:字线=1,T导通。当写入数据1时，D=1，高电平经过T对CS充电，CS被充电，积累有电压，相当于存入数据1;当写入数据0时，D =0，位线为低电平(假设原来CS已存入了1 ),CS经过T对位线进行放电，CS的电压为0V，相当于电容存入数据0。显然，存储单元是通过电容上有无电压来表示存入的是数据1还是数据0的。 7.1 随机存储器 ②读数据:字线=1,T导通。如果CS上没有电压(即为数据0)，则D =0，表示读出数据0，如果CS上有电压(即为数据1 ),CS对C0放电，则D=1，表示读出数据1。 值得注意的是，CS在放电过程中，它的电压部分转移到C0，会造成CS的电压减少，为了保持CS的电压不变，读出数据1后，必须由专门的电路及时给CS补充电压，才能保持数据1不变，这个过程称为“刷新”。 7.1 随机存储器 7.1.2 集成随机存储器2114A,2116的