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目前流行的IGBT驱动模式
目前IGBT驱动的主要方式
IGBT驱动的隔离方法主要由光耦隔离和变压器隔离。目前主流的方案主要有驱动芯片隔离和驱动信号隔离，实现隔离的策略还是需要光耦和变压器。
驱动电路简单，但是没有保护电路
保护主要采用检测饱和压降和检测发射极电流的方法。在电机驱动应用上，基本都采用检测饱和压降来作为保护。
安森美MC33153方案，芯片外部采用光耦隔离，用饱和压降检测实现短路和过流保护。
MC33153成熟应用方案
HCPL-316J典型应用，芯片内部采用光耦隔离，整个驱动方案类似Infineon 1ED芯片的使用，只是Infineon采用脉冲变压器隔离。
富士系列混合驱动IC典型应用：光耦隔离驱动芯片，检测饱和压降作为过流和短路保护。
通过比较，使用Infineon驱动芯片的优点是：
内部集成脉冲变压器，起到隔离作用；
大的电流驱动能力，工作电压范围切合IGBT驱动要求，电路设计较简单；
具有保护功能。
上海金脉电子科技有限公司
Shanghai G-Pulse Technology Co, Ltd.
文档名称华文中宋小五 Page 2 of 3 V1.0
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