第三十四讲双极晶体管.PDF

2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 第三十四讲 双极晶体管 11月27 ，2002 内容： 1. 理想BJT BJT - 2. 理想 的电流 电压特 阅读作业 del Alamo Ch. 11 §§11.1 11.2 11.2.1 ， ， （ ） 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 主要问题  双极晶体管看起来像什么?  BJT基本的工作原理是什么?  我们能推导出I C 和I B 在正向有源区的一阶模型吗？ 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1. 理想BJT 现代BJT ： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo BJT基本上是由两个背靠背的pn 结构成的： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo  足够近少数载流子相互作用 （基区复合可以忽略）  足够远端耗尽区不相互影响 （无 “穿通”） BJT 的独特优点：每个输入电容高的驱动能力 快速 对前端模拟通讯应用非常出色。 理想的BJT ： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 理想BJT 的简化：  一维的。  均匀掺杂分布。  在本征基区的少数载流子的G R可以忽略。  发射区，非本征基区和集电区假定从少数载流子的观点来看是 “短的”。  低水平注入。  V 和V QNR厚度与 BE B C 无关。  忽略侧墙效应。  没有寄生电阻。  忽略衬底效应。 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 本征器件简化的1D模型： 工作区域： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件