组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响-自然科学版-中南.PDF

36 1 ( ) Vol． 36 No． 1 第 卷第 期 中南民族大学学报 自然科学版 2017 3 Journal of South-Central University for Nationalities (Nat． Sci． Edition) Mar． 2017 年 月 组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响 1 1 2 1 3 1 ， ， ， ， ， 智超 锦华 皓宁 楚伟 志有 龙 浩 张 顾 王 丁 钟 (1 中南民族大学 ， 430074 ;2 ， 430074 ; 电子信息工程学院 武汉 中南民族大学实验教学与实验室管理中心 武汉 3 ， 430205) 武汉光驰教育科技股份有限公司 武汉 摘 要 针对半导体发光二极管(LED)中普遍存在的效率衰减效应严重影响大注入电流条件下LED 发光性能的 ， InGaN /GaN LED ， ， 。 问题 在传统 多量子阱 基础上 设计了组分渐变过渡层结构 引入到量子垒和电子阻挡层界面 : ， ， 模拟计算结果表明 当引入过渡层后 量子垒和电子阻挡层界面处的电子势阱深度和空穴势垒高度减小 有益于有 ， ， ． 源区载流子浓度的提高 有效提升了量子阱内辐射复合速率 使发光效率衰减现象得到显著改善 研究结果对大功 率发光二极管的结构设计和器件研发具有启发作用． ; ; ; 关键词 发光二极管 氮化镓 多量子阱 效率衰减 中图分类号 TN311 ;TN383 文献标识码 A 文章编号 1672-4321 (2017)01-0071-05 Effect of Graded-Composition Transition Layer on the Performance of GaN-Based Light-Emitting Diodes 1 1 2 1 3 1 Long Hao ，Zhang Zhichao ，Gu Jinhua ，Wang Haoning ，Ding Chuwei ，Zhong Zhiyou (1 College of Electronic Information Engineering，South-Central University for Nationaliti