电阻加热蒸发方式之优缺点.ppt

6．激光束輔助蒸鍍法 例如在電子束蒸發膜料的同時﹐用10W~60W的寬束CO2激光輻照基板﹐制得性能優良的HfO2和Y2O3等介質薄膜。 塵埃粒子 7．單晶蒸鍍法 基材通常為一定取向的單晶材料﹐選擇較高的基板溫度和較低的沉積速率﹐以及控制薄膜厚度﹐蒸發粒子入射角﹐殘余氣體種類與壓力以及電場等參數﹐可以制備單晶薄膜。 8．非晶蒸鍍法 采用快速蒸鍍﹐有利于非晶薄膜的形成。Si, Ge等共價鍵元素和某些氧化物﹐碳化物﹐鈦酸鹽﹐鈮酸鹽﹐錫酸鹽等在室溫或其以上溫度下可得到非晶薄膜﹐而純金屬等需在液氦溫度附近的基板上才能形成非晶薄膜。采用金屬或非金屬元素或兩種在高濃度下互不相溶的金屬元素共同蒸鍍﹐比純金屬容易形成非晶薄膜。另外也可通過加入降低表面遷移率的某些氣體或離子來獲得非晶薄膜。非晶薄膜往往有一些獨特的性能和功能﹐具有生要用途。 The End! Thanks * * * 真空蒸镀基础知识介绍 目 录 一.真空蒸镀原理 二.真空蒸镀方式 三.真空蒸镀设备 四.真空蒸镀工艺 一﹑真空蒸镀原理 1．料在真空状态下的蒸发特性 2．蒸气粒子的空间分布 3．凝结﹐生长过程 1． 料在真空狀態下的蒸發特性 　　真空蒸镀是将工件放入真空室﹐并用一定的方法加热﹐使镀膜材料(简称膜料)蒸发或升华﹐飞至工件表面凝聚成膜。 膜料的蒸发温度最终要根据膜料的熔点和饱和蒸气压等参数定。表1-1和表1-2分别列出了部分元素和化合物的熔点以及饱和蒸气压为1.33Pa 时相应的蒸发温度。 更多文章 表7-3 部分元素的蒸發特性(飽和蒸氣壓為1.33Pa) 表1-1 部分元素的蒸發特性(飽和蒸氣壓為1.33Pa) 表1-2 部分化合物的蒸發特性(飽和蒸氣壓為1.33Pa) 2．蒸氣粒子的空間分布 蒸氣粒子的空間分布顯著地影響了蒸發粒子在基體上的沉積速率以及基體上的膜厚分布。這與蒸發源的形狀和尺寸有關。最簡單的理想蒸發源有點和小平面兩種類型。在點源的情況下﹐以源為中心的球面上膜厚均相同﹐所以工件放在球面上就可得到膜厚相同的鍍膜。如果是小平面蒸發源﹐則發射具有方向性。 實際蒸發源的發射性應按具體情況加以分析。例如用螺旋狀鎢絞絲作蒸發源﹐可以簡化為由一系列小點源構成的一個短圓柱形蒸發源﹐但對于距離相對很大的平板工件(例如平板玻璃)來說﹐這種假設的計算結果几乎完全等效于點源模型。 更多文章 3．凝結﹐生長過程 蒸發粒子與基材碰撞后一部分被吸附。吸附原子在基材表面發生表面擴散﹐沉積原子之間產生兩維碰撞﹐形成簇團﹐有的在表面停留一段時間后再蒸發。原子族團與擴散原子相碰撞﹐或吸附單原子﹐或放出單原子﹐這種過程反復進行﹐當原子數超過某一臨界值時就變為穩定核﹐再不斷吸附其他擴散原子而逐步長大﹐最后與鄰近穩定核合并﹐進而變成連續膜。 更多文章 二．真空蒸鍍方式 1．電阻加熱蒸發方式及蒸發源 2．電子束蒸發方式及蒸發源 3．高頻加熱方式及蒸發源 4．激光加熱方式及蒸發源 更多文章 1．電阻加熱蒸發方式及蒸發源 它是用絲狀或片狀的高熔點金屬做成適當形狀的蒸發源﹐將膜料放在其中﹐接通電源﹐電阻加熱膜料而使其蒸發。 對蒸發源材料的基本要求是﹕高熔點﹐低蒸氣壓﹐在蒸發溫度下不會與膜料發生化學反應或互溶﹐具有一定的機械強度。實際上對所有加熱方式的蒸發源都有這樣的要求。另外電阻加熱方式還要求蒸發源材料與膜料容易潤濕﹐以保証蒸發狀態穩定。常用的蒸發源材料有鎢﹐鉬﹐鉭﹐石墨氮化硼等。電阻蒸發源的形狀是根據蒸發要求和特性確定的﹐通常又叫﹕線型﹑舟型(一般稱為船，可盛薄膜之材料)等。 更多文章 (A)線型： 1.呈螺旋狀：如圖(a)所示，可為單股絲多股絲。欲鍍物插掛於螺旋環中，¨例如：鍍鋁條時用多股螺旋絲，因為在高溫下鋁會與電阻絲(一般為鎢)形成合金而破壞鎢絲若用多股絞合做成則可延長鎢絲之壽命。工業生產機型多用BN-TiB2-AlN之複合導電材料來鍍鋁，其形狀如圖(f5)所示。 2.呈籃狀：如圖(b)所示，將欲鍍物置於籃中材料可為昇華之塊狀材料。 3.呈蚊香狀：如圖(d)所示，將欲鍍物放入坩置於其下，一般為昇華材料。若材料會與電阻絲起作用，則可先在材料與電阻絲中放一陶瓷坩鍋，如圖(c)所示 (B)舟型：一般稱為船，可盛薄膜之材料。 1.呈小坑狀：如圖(e)所