第6章调Q技术与锁模技术.ppt.ppt

調Q技術可將雷射脈寬壓縮至奈秒量級（峰值功率達106 W以上）。鎖模技術則可將雷射脈寬進一步壓縮至皮秒或飛秒量級（峰值功率達到1012 W）。 6.1 調Q技術 調Q技術也叫Q開關技術，是一種獲得高峰值功率、窄脈寬雷射脈衝的技術。通常，將這種高峰值功率的窄脈衝叫做巨脈衝。 6.1.1 調Q的基本理論 一、脈衝固體雷射器輸出的弛豫振盪 光源越強，尖峰脈衝個數越多，但其包絡的峰值增加並不多。將這種現象叫做雷射器輸出的弛豫振盪（或尖峰振盪）。弛豫振盪形成的主要原因是：隨著光源的作用，雷射器達到其振盪閾值產生雷射振盪，腔內光子數密度上升，輸出雷射。隨著雷射的發射，上能階粒子數被大量消耗，使反轉粒子數密度下降，到低於閾值時，雷射發射停止。在脈衝形成的過程中，雷射器的閾值始終保持不變，是產生弛豫振盪最根本的原因。 二、共振腔的品質因數Q 在電子技術中，用Q值來描述一個共振回路品質的高低。在雷射技術中，用Q值來描述一個共振腔的品質，稱其為共振腔的品質因數。 共振腔的品質因數Q定義為 如果腔內儲能用E表示，光在腔內傳播一個單程的能量損耗率用δ表示，則光在腔內走一個單程的能量損耗為 。設共振腔腔長為L，腔內介質折射率為n，則光在腔內傳播一個單程所需時間t 為nL/c，光在腔內每秒損耗的能量為 /t＝ c/nL。共振腔的品質因數Q可表示為 式中， 為真空中的雷射中心波長。 振腔的品質因數Q與腔的損耗成反比，即Q值可以表徵共振腔損耗的大小。Q值低，則腔損耗大，器件閾值高，不容易形成雷射振盪。Q值高，則腔損耗小，器件閾值低，容易形成雷射振盪。 三、調Q的基本原理 突然將器件的閾值調低，那麼累積在上能階的大量粒子，便雪崩式地躍遷到雷射下能階，在極短的時間內將儲存的能量釋放出來，而獲得峰值功率極高的雷射脈衝輸出。 由雷射原理可知，雷射器振盪的閾值條件，可表示為 g為模式數，A21為自發輻射機率， 為光子在腔內的壽命。 因為 ＝Q/2 ， 閾值反轉粒子數密度與共振腔的品質因數Q成反比。調節器件的振盪閾值，就是調節共振腔的品質因數Q，調節共振腔的損耗。因而，將這種獲得巨脈衝的技術叫做調Q技術或Q開關技術。 共振腔一般有5種損耗，即反射損耗（記為 ）、吸收損耗（記為 ）、衍射損耗（記為 ）、散射損耗（記為 ）和輸出損耗（記為 ）。共振腔的總損耗為各項損耗之和(δ＝ ＋ ＋ ＋＋ )。 調Q雷射器在工作物質、光激發速率和共振腔Q值的變化三方面，有以下要求： 1.工作物質 工作物質應具有高抗損傷閾值，以保證在強激發條件下工作，且雷射躍遷的上能階壽命要比較長。 2.光激發速率 要求光激發速率大於上能階的自發輻射速率，否則，反轉粒子數的累積水平不夠高。 3.Q值突變 共振腔Q值的變化應和腔建立雷射振盪的時間相近，否則會使脈衝展寬。 四、調Q雷射器的兩種儲能方式 調Q雷射器可以分為工作物質儲能調Q和共振腔儲能調Q兩類。 1.工作物質儲能調Q 工作物質儲能調Q，也叫脈衝反射式調Q，簡稱PRM法(Pulse ReflectioN Model)。 (1)工作過程 脈衝激發的調Q過程，如圖6.2所示。圖中，Wp為激發速率，Δni為Q值階躍變化時的反轉粒子數密度，Δnt為閾值反轉粒子數密度，Δnf為振盪終止時工作物質殘留的反轉粒子數密度， 為腔內的光子數密度。連續激發高重複率調Q過程，如圖6.3所示。 在圖6.4所示過程中，有三個特殊的時刻值得注意： Q值階躍上升的時刻(t＝t0)：在這一時刻，雷射振盪開始建立，此時反轉粒子數密度Δn＝Δni。 雪崩過程形成的時刻(t＝tD)：在此時刻， 已增長到 D，雪崩過程開始形成。腔內光子數密度 迅速增大，受激輻射迅速超過自發輻射而佔據優勢。隨著 的迅速增大，Δni迅速減小。 光子數密度達到最大值 max的時刻(t＝tp)：此時，反轉粒子數密度Δn＝Δnt，巨脈衝的峰值形成。 有三個過程伴隨著上述三個特殊的時刻： 自發輻射為主的過程(t0＜t＜tD)：由於此階段受激輻射的機率很小，因此腔內光子數密度 的增長十分緩慢。 雪崩過程(tD＜t＜tp)： 由 D迅速增長至 max。 光子數密度衰減過程(t＞tp)：因Δn＜Δnt，故腔內光子數密度 迅速減小，直至振盪終止。此時，工作物質中還殘留部份反轉粒子數Δnf，有Δn＝Δnf。 (2)工作物質儲能調Q的特點 在雷射振盪終止時，工作物質中殘留了一部份反轉粒子數Δnf，即工作物質中的儲能。 2.共振腔儲能調Q 共振腔儲能調Q，也叫脈衝透射式調Q，簡稱PTM法(Pulse Tr