SU一85光刻胶的应用工艺研究.PDF

2001证 微细加工技术 №2 第2期 M]crofabrication’Fechnogy 2001 文章编号：1003—8213(2001)02·0057—04 SU一8 5光刻胶的应用工艺研究 朱军。赵小林．倪智萍 (上悔交通大学信息存储研究中心，上海200030) 摘要：SU一8系列负性光刻胶是一种新品光刻胶，它具有良好的光敏性和高深宽比，适 5光刻 合于微机电系统，UV—L|GA和其它厚膜、超厚膜应用【1，2。。介绍了利用SU一8 胶，采用UV曝光制备LIGA掩模板所涉厦的SU-85工艺研究结果。 关键词：微机电系统；高深宽比；SU-8系列光刻胶；UV-LIGA 中图分类号：TN305·7 文献标识码：A 1引言 不多。以高深宽比介质微结构为模于，采用 电镀方法电镀出金属微结构仍具有高深宽比 随着信息技术的飞速发展．器件小型化 特性，这是目前较为简便易行的工艺路线。 Si深刻蚀，粉醛树脂光刻胶经多次甩胶得到 是必然趋势，传统的微细加工技术已不能完 厚光刻胶是制备高深宽比介质微结构的有效 全满足MEMs或MOEMS的发展要求。 方法，但我们采用SU一8光刻胶制备的微结 I，IGA技术正是为适应MEMS与MOFMS 技术而发展起来的一种新的技术，它使微结 构深宽比最大，制备工艺最为简便。 构及微零件深宽比达到200以上，并可实现 目前，对SU一8光刻胶的应用研究十分 微结构与微零件的批量生产。这是LfGA技有限。它对紫外线具有低光光学吸收特性， 既使膜厚高达1000微米，所得图形边缘仍近 术采用x射线进行光刻而具有的优势，但x 射线光刻需要同步辐射光源，这就带来了成 乎垂直。SU-8是一种应用前景广阔的新型 本高的缺点。SU一8光刻胶是一种化学增幅 光刻胶产品，但它对工艺条件很敏感，因此实 际应用中对工艺条件的研究及控制有一定的 型负性光刻胶，具有良好的光敏性和高深宽 难度。本文报道我们在LIGA掩模板研制中 比，适合于MEMS或MOEMS，UV—LIGA和 所涉及的SU-85光刻胶的特性研究。 其他超厚膜应用。它既克服r普通光刻采用 uv光刻深宽比不足的问题，又不存在LIGA 工艺成本高的问题，因此直接采用SU一8光 2实验与分析 刻胶来制备深宽比高的徽结构与微零件是微 加工领域的一场革新。 2．1甩胶及前烘 目前能制作高深宽比金属微结构的技术 我们在试验中发现SU一8光刻胶和基底 收稿日期：2000—04-03 作者简介：朱军(1967一)，女，江苏如东人，固体电子学专业。硕士，副教授；赵小林(1954一)，男，