晶体缺陷理论位错的萌生与增殖.pptVIP

晶体缺陷理论 第3章 位错的萌生与增殖 §1 位错的萌生 §2 位错的增殖机制 §3 螺旋线位错的形成机制 （d）运动过程，位错拉长。在接近圆柱面的底部附近，螺位错异号； （e）继续运动，异号螺位错相互吸引、消失，位错环仍然向右运动，而左边则留下一小段位错； （f）切应力继续作用，小位错向上运动，重复上面的过程，形成位错环，留下小位错； （g）此过程周而复始，源源不断地放出位错环，产生变形效应。 影响曲线形状的因素： 1.空位或间隙原子的过饱和度； 2.空位或间隙原子向位错线扩散速度（Vd）的大小； 3.空位或间隙原子在位错线上重新排列的速度（Vr） ； 4.位错在柱面上发生滑移的难易程度； 5.晶体的各向异性（不同方向上的位错能量不同） * * 第3章 位错的萌生与增殖 §1位错的萌生 1.1 空位机制 （a）快冷形成过饱和空位； （b）空位在某些特定面上聚集可以降低体系的能量； （c）一定数量的空位形成空位片； （d）空位片达到一定的尺寸后，坍塌形成了空位环； （e）如图为一刃型位错。 过饱和空位 空位片 空位坍塌、刃位错 1.2 棱柱位错机制 （a）最大切应力在夹杂物的π/4处； （b）界面处夹杂物与基体的膨胀系数差造成应力集中， 基体晶格错动松弛，形成一段小的位错； （c）切应力作用下，刃位错部分沿背离夹杂物方向， 在圆柱