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半导体温度计的设计和制作 1429 实验室，2017/03/06 半导体温度计以半导体热敏电阻作为温度传感器，利用半导体的阻值随温度 变化而急剧变化的特性，将温度转化为相应的阻值，通过对其阻值的测量实现温 度的测量。在测量过程中，各种非电量 （如长度、位移、应力、应变、温度、光 强等）常被转变成电学量 （如电阻、电压、电流、电感和电容等）后，用电学仪 器来进行测量，这就是非电量电测法。阻值随温度的增加而减小的热敏电阻称为 负温度系数 （NTC，Negative Temperature Coefficient）热敏电阻，目前在温 度测量领域应用较广，是常用的温度传感器，具有用料省、成本低、体积小、结 构简易、电阻温度系数绝对值大等特点。本实验要求利用非定量电测法，以负温 度系数热敏电阻为温度传感器，设计制作半导体温度计，进行温度的测量。 待研究问题 设计制作一个半导体温度计，温度测量范围：20~70 ℃。要求选用半导体热 敏电阻作为温度传感器，设计制作相应的测温电路，实现测量要求。 实验原理 温度测量常用的负温度系数 （NTC）热敏电阻器是以锰、钴、镍、铜等对温 度非常敏感、负温度系数很大的金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成 的元件。这些金属氧化物材料在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料，都具 有半导体性质。温度低时，这些氧化物材料中大部分电子是受束缚的，载流子（电 子和孔穴）数目少，所以电阻值较高；随着温度升高，原子的热运动加剧，部分 电子由此获得较高的能量，脱离束缚态而变成自由电子，同时相应地产生空穴， 被释放的自由电子与空穴参与导电，载流子数目增加，所以半导体的导电能力增 强。虽然原子热运动的加剧会阻碍电子的运动，但在温度不高的情况下（一般在 300℃以下），这种作用对导电性能的影响，远小于电子被释放而改善导电性能的 作用，所以温度上升会使半导体的电阻值迅速下降。 通常这类金属氧化物半导体（如 Fe O 、MgCr O 等）的电阻与温度满足如 3 4 2 4 下关系： B R R eT (16-1) T  式中R 是温度T 时的热敏电阻阻值，R 是T 趋于无穷时热敏电阻的阻值，B 是 T ∞ 热敏电阻的材料常数，T 为热力学温度。 1 定义电阻的温度系数α 为：α = ∙ 热敏电阻的温度系数为：a  B T 2 如图 16-1 所示，热敏电阻的电阻-温度特性是非线性的，阻值随温度的增加 呈指数下降，因此其温度系数是负的,约为−(30~60)×10-4K-1 。铜金属的温度系数 为4 104 K 1 ，热敏电阻的温度系数几乎大其几十倍。所以，半导体电阻对温度 变化的反应比金属电阻灵敏得多。 图16-1 热敏电阻电阻温度曲线 图16-2 热敏电阻伏安特性曲线 图 16-2 为热敏电阻的伏安特性。热敏电阻伏安曲线的起始部分接近线性， 而电流较大时，热敏电阻伏安特性呈现出明显的非线性。流过热敏电阻的电流较 小，热敏电阻上消耗的功率不足以显著地改变热敏电阻的温度，因而符合欧姆定 律。此时，电流的影响可以忽略不计，热敏电阻的阻值主要与外界温度有关。用 热敏电阻设计制作半导体温度计，必须考虑热敏电阻的伏安特性。在温度计设计 制作过程中要使热敏电阻工作在其小电流的线性区。 图16-3 热敏电阻测温电路原理图 2 6 NTC 热敏电阻常温下的