湿法刻蚀对全息微光学元件表面性质的影响.pdfVIP

S 248 大 连 理 工 大 学 学 报 　　　　　　　　　　　第37卷　 湿法刻蚀对全息微光学元件表面性质的影响 曾红军　郭履容　陈　波　庞　霖　 ( 四川大学信息光学研究中心　成都　6 10064) 浮雕型全息光学元件(HO E ) 在红外光学、自适应光学、光互联等领域有着广泛应用。全息记录材料曝光 ( ) 后, 其潜像要经过显影等后处理 湿法刻蚀 才能获得浮雕。传统显影剂不可控因素很多; 特别在制作微小尺 寸的连续浮雕微光学元件时, 元件表面粗糙, 噪声很大。为了制作高质量的微光学元件, 对湿法刻蚀工艺作 了细致研究, 考察了显影过程中影响光学元件表面性质的因素, 找到了产生良好面形的刻蚀剂和刻蚀工艺。 研究的内容包括: ( 1) 定义表面粗糙程度为浮雕表面随机凸起和凹坑线度的均值R 与加工元件的最小周期D 之比, 并以 此作为数学分析的基础。 (2) 分析湿法刻蚀对全息材料表面作用的化学动力学过程, 在初步模型的基础上引入“作用位点”概念, 即显影液对全息材料化学键的破坏作用在化学上的一个重要参数; 这个参数因显影液成分不同而异。在足够 长的反应时间内, 浮雕表面随机凸起和凹坑线度由作用位点决定, 与显影液的浓度无关。 ( ) ( ) 3 以光刻胶 A Z1350等 为例, 选若干作用位点小的显影液进行刻蚀, 并与常用显影液N aO H 或A Z 303作比较。实验表明, 作用位点值小的显影剂能获得表面性质明显优于后者的微光学元件, 能真正实现微 细浮雕表面的“精细加工”。但作用位点不是越小越好, 反方向的主要代价是反应速度会下降。作者找到了数 ( ) 种具有良好线性、反应速度适中、环境要求不高的刻蚀剂, 以此制得的微光学元件 周期10m 在扫描精度为 0. 1 的 500轮廓仪上观察, 粗糙程度在1% 以下。 m A lp h a step 上述进展将有利于全息光刻技术在微光学领域的进一步应用。 ( ) “九五”国家科技攻关项 目, 中国科学院成都光电所微细加工国家重点实验室开放课题基金资助项 目 导数符号二值图自动提取条纹中心线法的改进 于起峰　孙祥一　刘肖琳　张　帆　( 国防科技大学航天技术系　长沙　4 10073) 在作者提出的“二维导数符号二值图提取条纹骨架线方法”的基础上, 对该方法进行了改进, 使之也适用 ( ) 于高密度的条纹图 黑白条纹间距仅有3～ 5个像素点 和条纹密度变化很大的图, 并且可以自动消除原方法中 的方向间断线。该方法具有提取骨架线精度高、自动化程度高、对各种条纹图适用性好、不需要门槛值等突出 优点。本文改进的主要内容有: ( 1) 对二值导数符号二值图进行方向控制的各向异性中值滤波。对条纹很密的二值条纹图进行普通二值 旋滤波时, 有可能破坏二值条纹, 使骨架线间断。本文采用对原条纹图进行旋滤波记录下来的条纹方位图, 直接在每个当前点根据条纹方位图在条纹切线方向进行一维二值旋滤波。用此方法可滤掉二值条纹内部的 噪声, 光滑二值条纹的边界; 即使是很细的条纹也不会使条纹发生间断, 从而扩展了二维导数符号二值图法 的应用范围。 (2) 对方位条纹图的滤波, 原方法采用二维中值滤波。这对大部分区域是实用的; 但对方向间断区域, 效果不好, 不能得到干净的方向间断线。本文提出对条纹方位图滤波的新方法, 将方位图用四项限的方法表 示, 从而不存在间断跳跃线。对此四项限