电子工程物理基础v1.04)半导体物理.pdfVIP

韩磊 东南大学电子科学与工程学院 与其他课程的关系 晶体结构，薛定谔方程，能带 微电子学物理基础 理论 能带，费米能级，迁移率，扩 半导体物理 散系数，少子寿命， PN结， 金半接触 电子器件 二极管，三极管，MOS晶体 管，激光器，光电探测器，场 效应管 半导体集成电路 CPU，存储器，运算放大器， 模数转换器，音视频处 理 半导体一般特性 （1 ） 电阻率介于导体与绝缘体之间 Conductor 10-3 Ω·cm Insulator 109 Ω·cm Semiconductor 10-3~ 109 Ω·cm （2 ）对温度、光照、电场、磁场、湿度等敏感 温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降 如室温附近的纯硅(Si) ，温度每增加8 ℃，电阻率相应地降低 50%左右 适当波长的光照可以改变半导体的导电能力 如在绝缘衬底上制备的硫化镉(CdS)薄膜，无光照时的暗电阻为 几十M Ω，当受光照后电阻值可以下降为几十K Ω （3 ）性质与掺杂密切相关 微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力 以纯硅中每100万个硅原子掺进一个Ⅴ族杂质（比如磷）为例， 这时 硅的纯度仍高达99.9999% ，但电阻率在室温下却由大约 214,000 Ωcm降至0.2 Ωcm 以下 半导体材料 Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ 4 5 6 7 8 铍Be 硼B 碳C 氮N 氧O 12 13 14 15 16 镁Mg 铝Al 硅Si 磷P 硫S 30 31 32 33 34 锌Zn 镓Ga 锗Ge 砷As 硒Se 48 49 50 51 52 镉Cd 铟In 锡Sn 锑Sb 碲Te 80 81 82 83 84