锗系相变材料的晶体结构.pdfVIP

：＼ ／； ／；＼：／： ／； ／； ／； 一 综 述 ～ !．舍 ! !舍 ：全 ：舍 ：．舍 ：； 锗系相变材料的晶体结构 李 明 ，宓一鸣 ，言 智 ，季 鑫 (1．上海工程技术大学材料工程学院，上海 201620；2．上海工程技术大学基础教学学院，上海 201620) 摘 要：介绍了锗系相变材料的应用。用原位变温XRD对锗系相变材料相变过程中的晶体结构变化进行 实时检测发现，在不同温度会 出现不同的晶向。论述 了锗 系相变材料的相变过程即非晶态到面心 立方晶态的变化，面心立方晶态到六方晶态的变化，以及掺杂元素对锗系相变材料结构的影响。 关键词：锗 ；相变材料 ；原位变温 XRD；晶体结构 中图分类号：TN304．9 文献标识码：A 文章编号：1008-1690(2012)06-0018-04 CrystallineStructureofGermanium SeriesTransformationMaterials LIMing ，MIYi—ming ，YAN Zhi，jIXin (1．CollegeofMaterialEngineering，ShanghaiUniversityofEngineeringScience，Shanghai201620，China； 2．CollegeofFundamentalStudies，ShanghaiUniversityofEngineeringScience，Shanghai201620，China) Abstract：Theapplicationsofgermanium seriestransformationmaterialwere introduced．Rea1．timedetection of crystalline structure changeofthe germanium seriestransfformation materialwasperformanced by an in—situ variable—temperature XRD． The results reveal that different crystal orientations will appear at different temperatures．Thefollowingsubstancesweredescribed，includingtransformationprocessofthegermanium series transformationmaterial(i．e．changeofamorphouscrystallinetoface-centeredcubiccrystalline，changeofface— centeredcubiccrystallinetohexagonalcrystalline)andtheeffectofdopingelementsoncrystallinestructureofthe germanium seriestrasformationmateria1． Keywords：germanium；transformationmaterial；in-situvariable-temperatureXRD；crystallinesturcture 随着计算机技术的迅速发展，对存储技术的要 究状况看，能满足存储技术的要求。 求越来越高。自从文献[1]报道硫系相变材料可用 1 分析材料结构的方法 于相变数据存储之后，相变存储技术很快被开发出 来，并于20世纪80年代得到了迅速发展。相变材 1．1 X射线衍射(XRD) 料的优劣直接影响相变存储器件的研究，研究和开发 XRD是利用x射线在晶体中的衍射现象来分 性能优良的相变材料是发展相变存储技术的核心。 析材料的晶体结构、晶格参数、晶体缺陷(位错等)、 硫系化合物是重要的相变存储材料，特别是V— 不同结构相的含量及 内应力的方法，是建立在一定 VI族二元和 Ge—V—VI族三元化合物。相变材料的 晶