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版图设计中的设计规则
《集成电路设计基础》 设计规则 由于器件的物理特性和工艺的限制,芯片上物理层的尺寸进而版图的设计必须遵守特定的规则。 这些规则是各集成电路制造厂家根据本身的工艺特点和技术水平而制定的。 因此不同的工艺,就有不同的设计规则。 厂家提供设计规则 设计者只能根据厂家提供的设计规则进行版图设计。 严格遵守设计规则可以极大地避免由于短路、断路造成的电路失效和容差以及寄生效应引起的性能劣化。 版图几何设计规则 版图几何设计规则可看作是对光刻掩模版制备要求。 光刻掩模版是用来制造集成电路的。这些规则在生产阶段中为电路的设计师和工艺工程师提供了一种必要的信息联系。 设计规则与性能和成品率之间的关系 一般来讲,设计规则反映了性能和成品率之间可能的最好的折衷。 规则越保守,能工作的电路就越多(即成品率越高)。 规则越富有进取性,则电路性能改进的可能性也越大,这种改进可能是以牺牲成品率为代价的。 版图几何设计规则 ? 从设计的观点出发,设计规则可以分为三部分: (1)决定几何特征和图形的几何规 定。这些规定保证各个图形彼此之间具有正确的关系。 版图几何设计规则 (2)确定掩模制备和芯片制造中都 需要的一组基本图形部件的强制性要求。 (3)定义设计人员设计时所用的电 参数的范围。 版图几何设计规则 ? 有几种方法可以用来描述设计规则。其中包括: *以微米分辨率来规定的微米规则 *以特征尺寸为基准的λ规则 以?为单位也叫做“规整格式” :把大多数尺寸(覆盖,出头等等)约定为?的倍数?与工艺线所具有的工艺分辨率有关,线宽偏离理想特征尺寸的上限以及掩膜版之间的最大套准偏差,一般等于栅长度的一半。 优点:版图设计独立于工艺和实际尺寸 以微米为单位也叫做“自由格式” :每个尺寸之间没有必然的比例关系, 提高每一尺寸的合理度;简化度不高 。 目前一般双极集成电路的研制和生产,通常采用这类设计规则。在这类规则中,每个被规定的尺寸之间,没有必然的比例关系。这种方法的好处是各尺寸可相对独立地选择,可以把每个尺寸定得更合理,所以电路性能好,芯片尺寸小。缺点是对于一个设计级别,就要有一整套数字,而不能按比例放大、缩小。 设计规则的表示方法 以?为单位也叫做“规整格式” :把大多数尺寸(覆盖,出头等等)约定为?的倍数?与工艺线所具有的工艺分辨率有关,线宽偏离理想特征尺寸的上限以及掩膜版之间的最大套准偏差,一般等于栅长度的一半。 优点:版图设计独立于工艺和实际尺寸 以微米为单位也叫做“自由格式” :每个尺寸之间没有必然的比例关系, 提高每一尺寸的合理度;简化度不高 。 目前一般双极集成电路的研制和生产,通常采用这类设计规则。在这类规则中,每个被规定的尺寸之间,没有必然的比例关系。这种方法的好处是各尺寸可相对独立地选择,可以把每个尺寸定得更合理,所以电路性能好,芯片尺寸小。缺点是对于一个设计级别,就要有一整套数字,而不能按比例放大、缩小。 版图几何设计规则 层次 人们把设计过程抽象成若干易于处理的概念性版图层次,这些层次代表线路转换成硅芯片时所必需的掩模图形。 下面以某种N阱的硅栅工艺为例分别介绍层次的概念。 版图几何设计规则 版图几何设计规则 NWELL层相关的设计规则 版图几何设计规则 N阱设计规则示意图 版图几何设计规则 P+、N+有源区相关的设计规则列表 版图几何设计规则 P+、N+有源区设计规则示意图 版图几何设计规则 Poly相关的设计规则列表 版图几何设计规则 Poly相关设计规则示意图 版图几何设计规则 Contact相关的设计规则列表 版图几何设计规则 contact设计规则示意图 版图几何设计规则 Metal相关的设计规则列表 版图几何设计规则 Metal设计规则示意图 版图几何设计规则 Pad相关的设计规则列表 版图几何设计规则 Pad设计规则示意图 版图几何设计规则 当给定电路原理图设计其版图时,必须根据所用的工艺设计规则,时刻注意版图同一层上以及不同层间的图形大小及相对位置关系。 反相器实例 参照上述的硅栅工艺设计规则,下图以反相器(不针对具体的器件尺寸)为例给出了对应版图设计中应该考虑的部分设计规则示意图。 对于版图设计初学者来说,第一次设计就能全面考虑各种设计规则是不可能的。 为此,需要借助版图设计工具的在线DRC检查功能来及时发现存在的问题,具体步骤参见本书第十四章。 反相器实例 电学设计规则 ? 电学设计
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