硬件工程师培训教程(五).pdfVIP

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(创宇维修芯片级主板、硬盘培训教材)——凭技术生存,靠实力发展,用事实说话! 硬件工程师培训教程(五) 第二节 CPU 的制造工艺 CPU 从诞生至今已经走过了 20 余年的发展历程,C PU 的制造工艺和制造技术也有了长足的进步和发 展。在介绍 C PU 的制造过程之前,有必要先单独地介绍一下C PU 处理器的构造。 从外表观察,C PU 其实就是一块矩形固状物体,通过密密麻麻的众多管脚与主板相连。不过, 此时 用户看到的不过是 C PU 的外壳,用专业术语讲也就是C PU 的封装。 而在 CPU 的内部,其核心则是一片大小通常不到 1/4 英寸的薄薄的硅晶片(英文名称为 D ie ,也就是核 心的意思,P Ⅲ C o p p e r m i ne 和 Duron 等 C PU 中部的突起部分就是 Die) 。可别小瞧了这块面积不大的 硅片,在它上面密不透风地布满了数以百万计的晶体管。这些晶体管的作用就好像是我们大脑上的神经元, 相互配合协调,以此来完成各种复杂的运算和操作。 硅之所以能够成为生产 CPU 核心的重要半导体素材,最主要的原因就是其分布的广泛性且价格便宜。 此外,硅还可以形成品质极佳的大块晶体,通过切割得到直径 8 英寸甚至更大而厚度不足 1 毫 米的圆形薄 片,也就是我们平常讲的晶片(也叫晶圆) 。一块这样的晶片可以切割成许多小片,其中 的每一个小片也就 是一块单独 C PU 的核心。当然,在执行这样的切割之前,我们也还有许多处理工 作要做。 Intel 公司当年发布的 4004 微处理器不过 2300 个晶体管,而目前 P Ⅲ铜矿处理器所包含的晶体管 已超 过了 2000 万个,集成度提高了上万倍,而用户却不难发现单个 CPU 的核心硅片面积丝毫没有增 大,甚至 越变越小,这是设计者不断改进制造工艺的结果。 除了制造材料外,线宽也是 CPU 结构中的重要一环。线宽即是指芯片上的最基本功能单元门电路 的 宽度,因为实际上门电路之间连线的宽度同门电路的宽度相同,所以线宽可以描述制造工艺。缩 小线宽意 味着晶体管可以做得更小、更密集,可以降低芯片功耗,系统更稳定,C PU 得以运行在更 高的频率下, 而且可使用更小的晶圆,于是成本也就随之降低。 随着线宽的不断降低,以往芯片内部使用的铝连线的导电性能已逐渐满足不了要求,未来的处理器将 采用导电特性更好的铜连线。AMD 公司在其面向高端的 Athlon 系列 Thunderbird(雷鸟)处理器 的高频率版 本中已经开始采用铜连线技术。这样复杂的构造,大家自然也就会更关心“CPU 究竟是 怎么做出来的呢” 。 客观地讲,最初的 C PU 制造工艺比较粗糙,直到晶体管的产生与应用。众所 周知,C PU 中最重要的元件 就属晶体管了。晶体管就像一个开关,而这两种最简单的“开和关” 的选择对应于电脑而言,也就是我们常 常挂在嘴边的“0 和 1 ”。明白了这个道理,就让我们来看看 C PU 是如何制造的。 一、C P U 的制造 1.切割晶圆 所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片,并将其划 分成多 个细小的区域,每个区域都将成为一个 C PU 的内核(D i e) 。 2.影印(P h o t o l i t h o g r a p hy ) 在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质,紫外线通过印制着 CPU 复 杂电 路结构图样的模板照射硅基片,被紫外线照射的地方光阻物质溶解。 3.蚀刻(E t c h i n g) 用溶剂将被紫外线照射过的光阻物清除,然后再采用化学处理方式,把没有覆盖光阻物质部分 的硅氧 化物层蚀刻掉。然后把所有光阻物质清除,就得到了有沟槽的硅基片。 4.分层 为加工新的一层电路,再次生长硅氧化物,然后沉积一层多晶硅,涂敷光阻物质,重复影印、 蚀刻过 程,得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。 5.离子注入(I o n I m p l a n t a t i o n) 通过离子轰击,使得暴露的硅基片局部掺杂,从而改变这些区域的导电状态,形成门电路。 接下来的 步骤就是不断重复以上的过程。一个完整的 C PU 内核包含大约20 层,层间留出窗口,填充金属以保持各 层间电路的连接。完成最后的测试工作后,切割硅片成单个 CPU 核心并进行封装, 一个 C PU 便制造出来 创宇维修中心 TEL :0533-6206689 013011628855

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