Ti掺杂WO3薄膜论文Ti掺杂WO3薄膜的制备及气敏性能研究.docVIP

Ti掺杂WO_3薄膜论文：Ti掺杂WO_3薄膜的制备及气敏性能研究 【中文摘要】三氧化钨是一种重要的多功能金属半导体材料,在电致变色、气致变色、气敏性能等方面具有显著的特征。纯WO_3薄膜的气体灵敏度较低、选择性不强。通过向WO_3薄膜中掺杂适量Ti,可抑制晶粒生长,减小薄膜粒径,孔隙率升高,吸附表面积增大,有更优越的气敏性能。目前,国内外对掺杂WO_3薄膜的报道主要集中在溶胶-凝胶法,用磁控溅射法制备Ti掺杂的WO_3薄膜相对较少。本文用磁控溅射法制备了Ti掺杂的WO_3薄膜,研究了薄膜结构、光学特性、电学特性以及退火温度参数,测试了薄膜的气敏性能,寻找出了最佳的Ti掺杂含量,这对提高WO_3薄膜气敏性能,制备优良的气敏元件有重要的意义。本文利用直流反应磁控溅射工艺在玻璃衬底上沉积了不同氧分压(15%、20%、25%、30%、45%)、不同Ti掺杂含量(1%、3%、5%)的WO_3薄膜,在氮气气氛下分别用350℃、450℃、550℃温度进行1小时退火处理。采用台阶仪、分光光度计、XRD和霍尔测试等对制备的Ti掺杂WO_3薄膜进行了分析,研究了Ti掺杂WO_3薄膜的厚度、光学特性、微结构以及电学特性。分析表明,退火后的Ti掺杂WO_3薄膜为六方晶相结构,样品的衍射峰有明显... 【英文摘要】Tungsten Oxide is a kind of important multifunctional semiconductor material. It has very good properties on electrochromic,gasochromic and gas sensing. Pure WO_3 film has lower sensitiveness and selectivity than doped WO_3 thin film, after doped Ti in WO_3 thin film.And it will hold the crystals of growth , decrease of the film size, increase rate of the pore ,and increase the surface and has more superior performance of gas sensing property as pure WO_3 film. In present, the majority of studies are about ... 【关键词】Ti掺杂WO_3薄膜 磁控溅射 气敏性能 气敏机理 【英文关键词】Ti-doping WO_3 films magnetron sputtering gas sensing characteristic sensitive mechanism 【目录】Ti掺杂WO_3薄膜的制备及气敏性能研究 摘要 5-6 ABSTRACT 6-7 1 绪论 10-20 1.1 引言 10 1.2 W0_3薄膜的结构 10-11 1.3 纳米W0_3薄膜的性能及应用 11-14 1.3.1 电致变色 11-13 1.3.2 气致变色 13-14 1.3.3 气敏性质 14 1.4 纳米W0_3薄膜气敏性能研究进展 14-18 1.4.1 W0_3 纳米薄膜气敏性能的研究现状 14-15 1.4.2 改善纳米W0_3 薄膜气敏性能的研究 15-18 1.5 本文的立题依据、研究内容及目的 18-20 1.5.1 立题依据 18-19 1.5.2 研究内容及目的 19-20 2 三氧化钨薄膜的制备 20-29 2.1 制备W0_3薄膜的一般方法 20-24 2.1.1 真空蒸发法 20 2.1.2 溶胶-凝胶法 20-21 2.1.3 化学气相沉积法(CVD) 21 2.1.4 电沉积法 21-22 2.1.5 溅射法 22-24 2.2 Ti 掺杂W0_3薄膜的制备 24-27 2.2.1 基片处理 24-25 2.2.2 磁控溅射法制备W0_3 薄膜 25-27 2.2.3 W0_3 薄膜的热处理 27 2.3 小结 27-29 3 Ti 掺杂 W0_3薄膜的表征 29-36 3.1 薄膜厚度的测定 29 3.2 透射率的测定 29-30 3.3 XRD 的测定 30-33 3.4 霍尔测试 33-35 3.5 本章小结 35-36 4 Ti 掺杂 W0_3薄膜的气敏性能测试 36-45 4.1 气敏元件的参数 36-37 4.2 W0_3薄膜测试系统的建立 37-38 4.2.1 测试系统的要求 37 4.2.2 测试系统的气路设计 37-38 4.2.3 测试系统的整体结构 38 4.3 Ti 掺杂W0_3薄膜对N0_2的气敏特性