pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究.PDF

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2017-05-26 发布于天津
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pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究

　第32卷　第 1期 Vol. 32, No. 1 　　　　　　　　　　　　　　　　　　 20 12年2 月 RESEARCH PRO GRESS O F SSE Feb. , 2012 pMOSFET 陈海峰　过立新　杜慧敏 ( , , 710 12 1) 2011-08-03, 2011-09-21 : pMOSFE T( GD)。 , GD; , 。 , GD VB MOSFE T 0. 3。 V PN,。 B ,。 : ;;; p : TN386. 1　　: A　　: 1000-3819( 20 12) 0 1-00 10-04 - Eff ect of Substrate Bias on the Gate controlled Generation ’ Current in the pMOSFET s C HEN H ifeng　GUO Lixin　DU Huimin ( , ’ , ’ , 710121, ) School of Electronic Engineering X i an University of Posts and Telecommunications X i an CHN Abstract: The effect of substr te bi s on the g ted-diode gener tion ( GD) current h s been . GD, P B . studied The pe k of GD current curve I decre ses s the substr te bi s V becomes neg tive , GD, P B . B How ever I incre ses s V becomes positive This scribes th t V modul tes the m ximum B gener tion r te of GD current. The f ctor of V influencing on GD current is