PN结电容电压特性测量.ppt.ppt

PN结电容电压特性测量 1.实验目的 2.实验原理 C-V法利用PN结或肖特基势垒在反向偏压时的电容特性，可以获得材料中杂质浓度及其分布的信息，这类测量称为C-V测量技术。 这种测量可以提供材料截面均匀性及纵向杂质浓度分布的信息，因此比四探针、三探针等具有更大的优点。 虽然扩展电阻也能测量纵向分布，但它需将样品进行磨角，而C-V法既可以测量同型低阻衬底上外延材料的分布，也可测量高阻衬底用异型层的外延材料的分布。 3.仪器介绍 CV-2000型电容电压特性测试仪是测试频率为1MHz的智能化数字的电容测试仪器，专用于测试半导体器件PN结的势垒电容在不同偏压下的电容量，也可测试其它电容。 面板上的发光二极管指示仪器的工作状态，用数码管组成的显示板，将被测元件的数值，小数点清晰地显示出来。仪器有较高的分辨率，电容量是四位读数，可分辫到0.01pF，偏置电压分辨力为0.1V，漏电流分辨力为0.01uA。 4.实验内容 1. 测量步骤： （1）开机 仪器安装连接好后，把电源开关按到ON位置，电源接通，仪器执行自检程序。如果没有故障，测量指示灯亮。偏置电压指示状态为(电压去)，虽然偏置电压有显示，但该电压尚未加到夹具上去。 （2）连接被测件 被测件引线应相当清洁且笔直，将它插入CV-2000测试座具即可。若被测件引线脏，必须先擦干净，以保证接触良好。 （3）零校准 由于温度变化或改变夹具，都会引起寄生电感变化，因此，在每天开机30分钟后，改变夹具或温度变化大于3℃时，都要完成零校准。分两步完成：I、开路零校准；II、短路零校准。 （4） 测量 在零校准后按测量健，当测量指示灯亮即进入测量状态。 I、开路零校准。 开机后，在测量功能检查之后，应按[开路校准]按钮。在电容显示屏内出现一个零，并且通过灯亮，让人体远离仪器。按[校准触发]键并等一会，直到通过灯重新亮，开路校准完成。 II、短路零校准。 把随机附带的短路铜片插入测试槽按[短路校准]按钮，电容显示屏内出现一个5，并且通过灯亮，按[校准触发]键等一会直到通过灯重新亮，短路零校准完成。完成后请将短路铜片拿开。 （5）偏置电压下测量电容 A.完成上面四个步骤后，把元件插入CV-2000夹具，夹具的插槽电压极性为：左边插槽为（+）极，右边插槽为（-）极。如测试三极管集电极、基极反向电压特性，如系PNP型三极管基极插入（+）插槽，集电极插入（-）插槽，如系NPN型三极管基极插入（-）插槽，集电极插入（+）插槽然后加不同偏压即可得出不同偏压下的电容值。 如测试二极管，则二极管的“+”极插入（-）插槽，“-”极插入（+）插槽，即可得出不同偏压下的电容值。 B.粗调电位器“W1”及微调电位器“W2”的使用： W2的调节范围是0-V0(V0在20V以下，不同机器有些许差别)，可精确调节每0.1V。当测试元件反向耐压在V0以下，可将W1左旋至尽，单独调节W2即可。 当测试元件反向耐压在100V以下，则需W1、W2配合使用，请按以下步骤进行操作： 首先测量20V以下电容值：将W1左旋至尽，单独调节W2同时记录电容值，当W2右旋到头时记下电压V1。 完成后再将W2左旋至尽，然后慢慢右旋W1使偏压电压值显示为V1，然后慢慢调节W2，并记录电容值，当W2右旋至尽时记下电压V2。 完成后再将W2左旋至尽，然后右旋W1使偏置电压显示为V2，然后慢慢调节W2，重复步骤2即可得出100V以内的偏置电压下的电容值 。 注意： 1、加偏置电压时，请不要用手触摸电极，以防触电 2、为保护下次测量的器件关机前请分别将W1、W2左旋至尽，使偏置电压显示为0V。 5.思考练习 什么是PN结的电容效应？ PN结的电容效应有哪些应用？ 上一页 下一页 主目录 返 回 * 实验目的 实验原理 仪器介绍 实验内容 思考练习 掌握CV-2000型电容电压特性测试仪的使用方法； 熟悉C-V特性的测量。学习观测塞曼效应的实验方法. * *