CMOS模拟集成电路设总复习.ppt

* * * * 例.假设下图所示电路中M1的宽长比为1um/1um，M2的宽长比为2um/1um,Cgd1=0.5fF, Cgd2=0.5fF,Cbd1=10fF, Cbd2=10fF, CL=1pF,漏电流ID=300uA，电源电压5V，求小信号增益和-3dB频率。 解： -3dB频率： -3dB角频率： CMOS反相器的频率响应 1.MOS器件原理 2.电流镜 3.带隙基准 4.反相器（三种类型） 5.差分放大器 6.共源共栅放大器 7.输出放大器 8.运算放大器 知识点 差分放大器 AVD：差模增益 AVC：共模增益 AVD/AVC：共模抑制比 VICMR：共模输入电压范围 理想差放 差模输入电压 共模输入电压 差动工作方式优点： 抑制共模噪声 增大了可得到的最大电压摆幅 偏置电路相对简单 线性对相对高 电流镜负载差分放大器 大信号分析——输入共模范围ICMR 求ICMR方法：令vID=0,改变vIC直到有一个管子退出饱和区。 最小输入共模电压： 最大输入共模电压： 电流镜负载差分放大器 差分放大器的增益 差分放大器的输出电阻 小信号分析——增益、输出电阻、-3dB带宽 差分放大器的-3dB带宽 电流镜负载差分放大器 例.设计电流镜负载差分放大器以满足以下指标： （1）差模增益100V/V；（2）-1.5VICMR2V；（3）Pdiss1mW 已知VDD=2.5V;VSS=-2.5V，假设尾电流为100uA，所有管子L=1um。 1.最大共模输入电压约束条件： 电流镜负载差分放大器 2.小信号增益约束条件： 3.最小共模输入电压约束条件： 1.MOS器件原理 2.电流镜 3.带隙基准 4.反相器（三种类型） 5.差分放大器 6.共源共栅放大器 7.输出放大器 8.运算放大器 知识点 共源共栅放大器 共源共栅放大器的大信号分析——所有管子饱和的输出电压范围 1.所有管子饱和时的输出电压最大值VOMAXSAT 2.所有管子饱和时的输出电压最小值VOMINSAT 共源共栅放大器 共源共栅放大器的小信号分析 ——输出电阻、增益、-3dB带宽 1.输出电阻 2.小信号增益 3.-3dB带宽 高增益和高输出电阻的共源共栅放大器 大信号分析——所有管子饱和的输出电压范围 1.所有管子饱和时的输出电压最大值VOMAXSAT 2.所有管子饱和时的输出电压最小值VOMINSAT 1.输出电阻 2.小信号电压增益 高增益和高输出电阻的共源共栅放大器 共源共栅放大器的小信号分析 ——输出电阻、增益、-3dB带宽 3.-3dB带宽 例.采用表3.1-2的参数对比下图两个共源共栅放大器的增益和输出电阻的大小。假设漏电流均为200uA，所有管子的W/L=2um/1um。 共源共栅放大器 解：左图所示简单共源共栅放大器 右图所示共源共栅放大器 例.求下图电路的小信号电压增益和输出电阻。设每个管子的直流电流为100uA，所有管子工作在饱和区且宽长比均为10um/1um。 共源共栅放大器 解： 1.输出电阻为 2.增益为 计算可得 1.MOS器件原理 2.电流镜 3.带隙基准 4.反相器（三种类型） 5.差分放大器 6.共源共栅放大器 7.输出放大器 8.运算放大器 知识点 输出放大器 输出放大器的主要目的是有效地将信号提供给负载，负载主要由电阻（通常为50~1000欧姆）、电容（通常为5~1000pF）或者二者并联构成。 负载大的含义 电阻小 电容大 无论哪种情况都需要放 大器提供大的输出电流 高增益放大电路的结构 差分输入级 共源共栅放大级 输出级 电流漏负载源极跟随器 电流漏负载源极跟随器——大信号分析 1.输出电压最大值 衬底偏置效应（设 ） 2.输出电压最小值 阈值损失和衬底偏置效应导致输出摆幅小 电流漏负载源极跟随器——小信号分析 电流漏负载源极跟随器 1. 输出电阻 2. 电压增益 3. -3dB带宽 输出电阻和增益小，带宽大 推挽形式的源极跟随器——大信号分析 输出电压摆幅 推挽源极跟随器的输出摆幅小。 推挽形式的源极跟随器 1.输出高低电平均存在阈值损失； 2.衬底偏置效应导致VTP2VTP0,VTN1VTN0； 推挽形式的源极跟随器——小信号分析 推挽形式的源极跟随器 1.输出电阻 2.电压增益 3. -3dB带宽 输出电阻和增益小，带宽大 1.MOS器件原理 2.电流镜 3.带隙基准 4.反相器（三种类型） 5.差分放大器 6.共源共栅放大器 7.输出放大器 8.运算放大器 知识点 运算放大器的性能指标 1.开环差模电压增益∞ 2.共模抑制比∞ 3.开环输入电阻∞ 4.开环输出电阻0 5.开环带宽∞ 6.没有温漂 运算放大器——OP AMP(Operational AMPlifier) 虚断路 虚短路 理想运算放大器的特点