低温溶液加工法制备氧化锌薄膜晶体管.PDF

华 南 理 工 大 学 学 报 （自然科 学版 ） 第４３卷 第３期 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＳｏｕｔｈＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ４３　Ｎｏ３ ２０１５年３月 （ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） Ｍａｒｃｈ　２０１５ 文章编号：１０００５６５Ｘ（２０１５）０３００９８０５ 　 低温溶液加工法制备氧化锌薄膜晶体管 兰林锋　宋威　史文　彭俊彪 （华南理工大学 发光材料与器件国家重点实验室，广东 广州５１０６４０） 摘　要：为适应柔性有源有矩阵有机发光二极管（ＡＭＯＬＥＤ）等新型显示技术发展的需 要，将低温溶液处理的氧化锌作为半导体层、电化学氧化的氧化铝钕作为栅绝缘层，制备 了氧化锌薄膜晶体管（ＴＦＴ）．制备氧化锌半导体层所用的前驱体溶液为无碳的Ｚｎ（ＯＨ） ｘ （ＮＨ）（２－ｘ）＋水溶液，这种氨络合物溶液制备简单、成本低，并且由于容易形成高活性的 ３ ｙ 氢氧自由基，使得氨 －金属之间的分解所需要的活化能较低，生成氧化锌所需的能量较 小，可以在１８０℃的较低温度下获得氧化锌多晶薄膜．所制备的ＴＦＴ器件的最高迁移率 ２ 可达０．９ｃｍ／（Ｖ·ｓ）．这种低温氧化锌薄膜工艺与室温电化学氧化的栅绝缘层工艺相结 合，具有温度低和迁移率高的特点，完全能与柔性衬底兼容，在柔性显示中具有很大的应 用前景． 关键词：薄膜晶体管；氧化锌；低温溶液加工 中图分类号：ＴＮ１４１ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１０００５６５Ｘ．２０１５．０３．０１５ 　　金属氧化物 （ＭＯ）半导体材料由于其具有载流 解、固化，并获得致密连续的薄膜，薄膜的退火温度 子迁移率高、对可见光透明以及成本低等优点，在过 一般高于３００℃．然而，如此高的温度限制了其在柔 去的十余年间得到了众多学者的关注和研究．通过 性衬底上的应用．因此，降低ＺｎＯ薄膜的制备温度， 溅射的方法制备ＭＯ薄膜的技术及其在薄膜晶体管 并获得高性能的ＺｎＯＴＦＴ器件具有重要的现实意 ［１］ ［５９］ （ＴＦＴ）中的应用已经取得了很大的进展 ，但由于 义 ． 其需要相对昂贵的真空设备使得其制备成本有进一 文中采用无碳的Ｚｎ（ＯＨ）（ＮＨ３）（２－ｘ）＋水溶 ｘ ｙ 步降低的空间．与溅射法相比，溶液加工的方法由于 液作为前驱体，能够在 １８０℃的条件下获得多晶的 加工简单、成本低、化学成分易于调控以及能够满足 ＺｎＯ薄膜．同时结合室温电化学氧化制备的栅绝缘 大面积生产而受到了越来越多的重视．氧化锌 层和溶液处理的钝化层工艺制备了ＺｎＯＴＦＴ，可获 ２ （ＺｎＯ）是金属氧化物的代表，也是研究得较为广泛 得０．９ｃｍ／（Ｖ·ｓ）的载流子迁移率．