固体物理基础--半导体.ppt

分数效应 崔琦, Stomer 等发现, 当Landau能级的占据数 这里 p, m 为整数, m为奇数时, 有霍尔平台. LED特点 低电压 3-4V 高效节能 35% 长寿命10万小时（电灯3000-8000小时） 体积小 环保（废弃物少） 应用广泛（全彩色显示、汽车电子、手机显示，仪器仪表显示、未来白光照明） 海岛、高山无电网处易实现太阳能照明（军事） §5.6半导体发光二极管、激光器 Active Layer 5-period In0.3Ga0.7N/GaN SLs (2.5nm/4.0nm) Transparent electrode P electrode N electrode Blue InGaN/GaN multi-quantum well LED structure N-type GaN: Si 3-4μm Substrate Sapphire or Si P-type Al0.1Ga0.9N:Mg 100nm P-type GaN:Mg 0.5μm GaN buffer layer: 30nm 2.5nm InGaN 4.0nm GaN p n 阻挡层 E内 - + + - + - + - + - p n 满 带 空 带 eU0 p n 满 带 空 带 e(U0-V) Ｅ外 E内 p n 阻挡层 + - - - - - + + + + 电子、空穴复合发光 导带 禁带 价带 p I n p I n - - - - - - - + + + + + + E内 U0 导带 禁带 价带 三块半导体 紧密接触，形成 p-I-n 结 I n p （本征） + - p I n E内 E外 Ec1 Ec2 Ev1 Ev2 △Ec △Ev 量子阱LED能带结构图 超晶格LED能带结构图 同质结激光器——实质上是由同一种材料制成的一个p-n结（重掺杂） 1. 同质结激光器 半导体激光器分两类: 异质结激光器——实质上是由两种不同材料制成的一个 p-I-n结（ I为本征半导体） 半导体激光器 半导体激光器是光纤通讯中的重要光源，在创建信息高速公路的工程中起着极重要的作用。 p n 满 带 空 带 重掺杂 p n 满 带 空 带 普通掺杂 p n 阻挡层 E内 - + + - + - + - + - 加正向偏压V ? 粒子数反转 Ｅ外 E内 p n 阻挡层 + - - - - - + + + + p n 满 带 空 带 eU0 p n 满 带 空 带 e(U0-V) 电子空穴复合发光 解理面 p-n结 p-n结 它的两个端面就相 当于两个反射镜， 光振荡并利于选频。． 的反射系数， 激励能源就是外接 电源（电泵）。 维持激光的输出。 由自发辐射引起受激辐射。. p-n结本身就形成 一个光学谐振腔， 它提供正向电流，使电子空穴的复合不断进行， 适当镀膜达到所要求 可形成 解理面 p-n结 核心部分： p型GaAs n型GaAs 典型尺寸（?m） ： 长 L= 250 - 500 宽 W = 5 - 10 厚 d = 0.1- 0.2 GaAs同质结半导体激光器 2. 异质结激光器 作为概念上的过渡，先介绍 同质p-I-n结。 同质结的缺点是需要重掺杂，且光损耗大。 导带 禁带 价带 p I n p I n - - - - - - - + + + + + + E内 U0 导带 禁带 价带 三块半导体 紧密接触，形成 p-I-n 结 I n p 加正向偏压实现粒子数反转。 （本征） 需要电压较高。 + - p I n E内 E外 异质p-I-n结激光器： Ga1-x Alx As GaAs Ga1-x Alx As 导带 禁带 价带 p I n 导带 禁带 价带 加正向偏压后， 很容易实现粒子数反转 GaAs和GaAlAs,晶格常数基本相同，禁带宽度不同，折射系数不同 U0 I n p p I n - - - - - - - + + + + + + E内 紧密接触, 形成 p-I-n 结 + - p I n E内 E外 2）GaAs的折射率比两侧高5%，可形成全 反射，把激光束限制在激活区内； 实际使用的都是异质结激光器。 异质结激光器的优点： 1）无须重掺杂； 3）阈值电流密度低，可在室温下连续工作。 半导体激光器的特点： 功率可达 102 mW 效率高 制造方便 成本低 所需电压低（对GaAs只需1.5V ） 体积小 极易与光纤接合 电能直接变成光能 寿命长 可达百万小时 用于激光通讯、信息储存、处理和显示器件、测距、制导、夜视等。 Ｅ外 E内 p n 阻挡层 + - - - - - +