等离子体处理对GaN发光二极管性能影响.PDF

第34卷第7期 北京工业大学学报 V01．34No．7 2008年7月 0FBEUINGUNIVERSITYOFTECHNOLoGY JOURNAL JuI．2008 等离子体处理对GaN发光二极管性能影响 达小丽，沈光地，刘建平，牛南辉，朱彦旭，梁 庭，邹德恕，郭 霞 (北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术实验室，北京100022) 摘要：为了研究等离子体处理对ICP刻蚀损伤的恢复效果，将多个样品放置于不同温度的等离子体增强化学 气相沉积样品台上，通过改变射频源功率，分别使用N2、N20和NH3等离子体对GaN发光二极管进行处理．研 究结果表明，在100℃、20W的射频功率条件下，用N20等离子体处理CaN发光二极管可以极大地改善器件的 光电特性；用N2等离子体处理CaN发光二极管可以使器件的光电特性得到微弱改善；但是使用NH3等离子体 处理CaN发光二极管。会使其光电特性明显恶化． 关键词：光电子；半导体材料；