微电子器件B12015半导体器件基本方程.pptVIP

例 1.3 对于方程 ( 1-12 ) 、( 1-13 ) 中的净复合率 U ，当作如下假设：(1) 复合中心对电子与空穴有相同的俘获截面；(2) 复合中心的能级与本征费米能级相等，则 U 可表为 式中，? 代表载流子寿命， 如果在 P 型区中，且满足小注入条件，则 同理，在 N 型区中， 于是得 （1-18） （1-19） （1-17） 例 1.4 将电子扩散电流密度方程 (1-16) 同理可得 空穴的扩散方程， （1-23） （1-21） 代入电子连续性方程 (1-12) 设 Dn为常数，再将 Un 的表达式代入，可得 电子的扩散方程， 例 1.5 对于泊松方程的积分形式 (1-6) ， （1-25） 也可对积分形式的基本方程进行简化。 在 N 型耗尽区中可简化为 式中， ，分别代表体积 V 内的电子总电荷量和非平衡电子总电荷量。 例 1.6 对于方程 (1-7) （1-7） 将电子净复合率的方程(1-18)代入， 并经积分后得 （1-26） 定态时， ，上式可再简化为 （1-27） 方程（1-26）~（1-29）是电荷控制模型中的常用公式 ，只是具体形式或符号视不同情况而可能有所不同 。 同理，对于 N 型区中的少子空穴， 定态时， （1-29） （1-28） * * * * * * 微 电 子 器 件 电子科技大学 微电子与固体电子学院 授课教师：张建国 办公室：计算机学院112房间 电话： 028-mail: si_laser@ jgzhang@ * 总学时数：64学时 其中课堂讲授：52 学时，实验：12 学时 成绩构成： 期末考试：70 分、期中考试：10分、 平时成绩：10 分、实验成绩：10 分 上课安排 第1周~第13周，共52课时 每周4学时 周三5、6节 C408 周五 3、4节 C408 相关课程： 半导体物理、固体物理 答疑时间： * 研究领域：硅基光电子学（ Silicon-based Optoelectronics ） 研究方向：硅基光电材料与器件，包括 1、硅基掺铒光波导放大器（EDWA) 2、硅基电注入激光器 参考：/go/sp/ / /uoeg/ 问题：1、半导体工业发展到现在有哪几项革命性的器件？ 2、估算单个MOS管运算速度。 3、为什么单核CPU主频（10亿次）最近十多年很难继续往 上提升？ CPU芯片中金属连线长度的演化 摩尔定律（每隔12到18个月集成度增加一倍，性能也提升一倍） * RC time constants R= ρL/A C=kA/d 金属连线瓶颈（电子是传输信号的载体） * 《半导体制造技术》 P263 硅基光电集成片上系统(SOC)所需的电子学单元和光子学单元 * * * 李国杰 * * * * * * * * 电子器件发展简史 1904年：真空二极管 1907年：真空三极管 电子管 美国贝尔实验室发明的世界上第一支锗点接触双极晶体管 1947年：双极型晶体管 1960年：实用的 MOS 场效应管 固体器件 1950 年发明了结型双极型晶体管，并于 1956 年获得诺贝尔物理奖。 1956 年出现了扩散工艺，1959 年开发出了 硅平面工艺 ，为以后集成电路的大发展奠定了技术基础。 1959 年美国仙童公司（ Fairchilds ）开发出了第一块用硅平面工艺制造的集成电路，并于 2000 年获得诺贝尔物理奖。 1969年：大规模集成电路（LSI ，103 ~ 105 元件或 102 ~ 5 ×103 等效门 ） 1959年：中小规模集成电路（IC） 1977年：超大规模集成电路（VLSI ，以 64K DRAM 、16位 CPU 为代表 ） 1986年：巨大规模集成电路（ULSI，以 4M DRAM