实验八镜频抑制混频器设计.doc

应用ADS设计混频器 概述 图1为一微带平衡混频器，其功率混合电路采用3dB分支线定向耦合器，在各端口匹配的条件下，1、2为隔离臂，1到3、4端口以及从2到3、4端口都是功率平分而相位差90°。 图1 设射频信号和本振分别从隔离臂1、2端口加入时，初相位都是0°，考虑到传输相同的路径不影响相对相位关系。通过定向耦合器，加到D1，D2上的信号和本振电压分别为： D1上电压 1-1 1-2 D2上电压 1-3 1-4 可见，信号和本振都分别以相位差分配到两只二极管上，故这类混频器称为型平衡混频器。由一般混频电流的计算公式，并考虑到射频电压和本振电压的相位差，可以得到D1中混频电流为： 同样，D2式中的混频器的电流为： 当时，利用的关系，可以求出中频电流为： 主要的技术指标有： 噪音系数和等效相位噪音(单边带噪音系数、双边带噪音系数)； 变频增益，中频输出和射频输入的比较； 动态范围，这是指混频器正常工作时的微波输入功率范围； 双频三阶交调与线性度； 工作频率； 隔离度； 本振功率与工作点。 设计目标：射频：3.6 GHz，本振：3.8 GHz，噪音：15。 2.具体设计过程 2.1创建一个新项目 启动ADS 选择Main windows 菜单－File－New Project，然后按照提示选择项目保存的路径和输入文件名 点击“ok”这样就创建了一个新项目。 点击，新建一个电路原理图窗口，开始设计混频器。 2.2 3dB定向耦合器设计 里面选择类“Tlines-Microstrip” 选择，并双击编辑其中的属性，，这是微带线基板的参数设置，其中的各项的物理含义，可以参考ADS的帮助文档。 选择，这是一个微带传输线，选择，这是一个三叉口。 按照下图设计好电路图 图2 3dB耦合器 其中50 ohm传输线的线宽w＝0.98mm，四分之一波长长度为10.46mm，35ohm传输线的线宽为w＝1.67mm，四分之一波长长度为10.2mm。MTEE是三端口器件，有三个参数W1，W2，W3具体是有定义的，可以此参考ADS帮助文档。 选择类“Simulation－S_Param”并把仿真器和“Term”拉出来放好。 图3 双击，修改里面的属性，要求从3GHz到5GHz扫描。。 保存文档。 按“F7”仿真。 在“DataDisplay”窗口中，按，如下图所示，看端口的耦合度。 图4 结果如下图所示 图5 各输出端口的传输参数 同样的办法可以看到输出端口的相位差、输入端口的隔离度、输入端口的回波损耗等。选择要查看的参数如S41，选择查看的类型为相位Phase。 图6 输出端口的相位差 图7 输入端口的回波损耗 图8 输出端口的隔离度 2.3低通滤波器 在类“Lumped-Components”里面选择电容，和电感，按照下图设计电路。 图9 低通滤波器电路图 加上仿真器，设计为 ，表示从0.01GHz，扫描到4GHz。 按“F7”仿真。 在出现的“DataDisplay”窗口中，按，选择加入S21，仿真结果如下图所示。 图10 低通滤波器仿真结果 2.4 混频器频谱分析 2.41设计完整的电路图 图11 完整的电路图 把混频器的电路图分解为如下图所示的8个部分，下面分别说明一下这8个部分具体的情况。 图12 第一部分 第二部分 第三部分就是上面设计出来的3dB定向耦合器，具体请参考3dB耦合器一章。 第4部分 匹配电路 第5部分是晶体管，其中晶体管是使用了模型，具体操作是这样的，先在类“Devices-Diodes”里面，选择，并双击修改里面的属性，建立二极管模型，具体的参数设计参考下图13。 图13 选择，并在相应的位置把器件放好， 设置Vif，点击菜单栏的NAME，如下图，输入在弹出的对话框中输入Vif。 然后点击输出端的导线，为输出端导线命名。如下图 其中DIODE1，和DIODE2都是引用了刚才设计的二极管模板“DIODEM1”。 第6部分是输出阻抗匹配电路，使用传输线做阻抗匹配， 第6部分 第7部分是低通滤波器，具体电路参考低通滤波器设计电路。 第8部分是一个“Term”，用来做输出负载的。“Term”是在“Simulation S-Param”中获得的。 。 第8部分 注意：第1部分是射频输入端口，端口号就是(Num)