材料合成与制备2..doc

第一章　单晶材料的制备 合成：指促使原子、分子结合而构成材料的化学过程。 制备：研究如何控制原子与分子使之构成有用的材料，还包括在更为宏观的尺度上或以更大的规模控制材料的结构，使之具备所需的性能和适用效能，即包括材料的加工、处理、装配和制造。 区别：合成一般含有化学反应，有新物质生成，而制备则不一定。物质的提纯，设备的组装等可以叫制备但不能叫合成。同样得到一样目标物质，制备讲的是结果，合成更侧重过程。 合成与制备就是建立原子、分子的新排列，从微观到宏观尺度对结构予以控制，从而制造材料和零件的过程。 单晶体定义：晶体内部的原子呈有规律地、周期性地排列，或者说晶体的整体在三维方向上由同一空间格子构成，整个晶体中质点在空间的排列为长程有序 。 特点：整个材料只有一个晶粒组成，材料具有良好的均一性和结构完成性，表现出优异的电、磁、光、热等性能。 形变再结晶：冷变形后的金属加热到一定温度之后，在变形基体中，重新生成无畸变的新晶粒的过程叫再结晶。再结晶包括成核与长大两个基本过程。 4.退火是将材料加热至某一温度，保温后随炉缓慢冷却以获得近于平衡状态组织的热处理工艺。其主要目的是均匀材料的化学成分及组织，消除内应力和加工硬化。 退火过程三个阶段：回复，再结晶，晶粒长大。 5.固相－固相平衡的晶体生长：（1）回复阶段不涉及大角度晶面的迁动；（2）通过点缺陷消除、位错的对消和重新排列来实现； （3）过程是均匀的。 低温下回复：主要涉及点缺陷的运动。如空位与间隙原子相遇便复合，点缺陷密度大大下降。 中温下回复:位错可以在滑移面上滑移或交滑移,使异号位错相遇相消,位错密度下降。 高温下回复:位错除了滑移外，还可攀移，实现多边化，即形成亚晶。 回复过程中随着组织结构的变化，物理和机械性能也有变化，它们向着未形变前的值变化。回复阶段不涉及大角度晶面的迁动； 通过点缺陷消除、位错的对消和重新排列来实现；过程是均匀的。 测量：量热法、硬度测量法、X射线衍射法、位错法和电阻法 7.应变退火再结晶驱动力。 W-q：形变金属的机械储存能，再结晶主要推动力。Gs：晶粒表面自由能。△G0：晶粒取向之间的自由能差。 (1)经塑性变形后，储存大量的应变能。在产生应变时，发生的自由能变化近似等于做功减去释放的热量。该能量是应变退火再结晶的主要推动力 (2)Gs是晶粒的表面自由能 (3)ΔG0是不同晶粒取向之间的自由能差，取向不合适则能量高 8.晶粒长大推动力：晶粒长大是通过晶粒间的迁移；推动力是晶粒间界自由能（晶界能）的减少。 晶粒的异常长大（二次再结晶）:将再结晶完成后的金属继续加热至某一温度以上，或更长时间的保温，会有少数晶粒优先长大，成为特别粗大的晶粒，而其周围较细的晶粒则逐渐被吞食掉，整个金属由少数比再结晶后晶粒要大几十倍甚至几百倍的特大晶粒组成。 原因：织构抑制；第二相粒子的溶解；厚度抑制； 影响晶粒长大的因素:(1)温度:温度越高晶粒长大速度越快。一定温度下，晶粒长到极限尺寸后就不再长大，但提高温度后晶粒将继续长大；（2）杂质与合金元素：杂质及合金元素渗入基体后阻碍晶界运动；（3）第二相粒子：弥散分布的第二相粒子阻碍晶界的移动，可使晶粒长大受到抑制；（4）相邻晶粒的位向差：晶界的界面能与相邻晶粒的位向差有关，小角度晶界界面能低，故界面移动的驱动力小，晶界移动速度低。 固相－固相平衡的晶体生长常用方法：应变-退火技术、烧结、退玻璃化等。 烧结就是加热压实多晶体，烧结过程中晶粒长大的推动力主要是由残余应变、反向应变和晶粒维度效应等因素引起。烧结仅用于非金属材料中的晶粒长大。 （1）利用烧结法钇铁石榴石Y3Fe5O12、BeO、Al2O3等晶粒长大。（2）气孔、添加物、原始晶粒的尺寸等均影响烧结生长晶体。 （3）如果在热压中升高温度，烧结所引起的晶体长大将更为显著。 固相－固相平衡的晶体生长：优点：能在较低温度下生长；生长晶体的形状预先固定。缺点：难以控制成核以形成大晶粒。 从液相中生长晶体的一般理论：单组分液－固平衡的单晶生长技术，是目前使用最广泛的生长技术，基本方法是控制凝固而生长，即控制成核。在单元复相系统中，相平衡条件是系统中共存相的摩尔吉布斯自由能相等，即化学势相等；在多元系统中，相平衡条件是各组元在共存的各相中的化学势相等。 13.液相晶体生长的基本原理：生长界面必须处于过冷状态。过冷状态：熔融金属或合金冷却到平衡的凝固点(或液相线温度)以下，而没有凝固的现象。 14.对于亚稳态的理解：（1）整个系统的吉布斯自由能可能存在几个极小值，其中最小的极小值相当于系统的稳定态，其它较大的极小值相当于亚稳态。（2）亚稳态在一定限度内是稳定的状态。（3）亚稳态间及亚稳态与稳定态间存在能量位垒，亚稳态与稳定态间的能量位垒来自界面能。 15.相变驱动力 气相生长系统