【优化方案】2013-2014学年高二物理(RJ选修3-1)第三章+习题课+洛伦兹力与现代科技(30张ppt).pptxVIP

习题课　洛伦兹力与现代科技;霍尔效应可解释如下：外部磁场的洛伦兹力使运动的电子聚集在导体板的一侧，在导体板的另一侧会出现多余的正电荷，从而形成横向电场，横向电场对电子施加与洛伦兹力方向相反的电场力．当电场力与洛伦兹力达到平衡时，导体板上、下两侧之间就会形成稳定的电势差．;典题示例 如图所示，电路中有一段金属导体，它的横截面为边长等于a的正方形，放在沿x轴正方向的匀强磁场中，导体中通有沿y轴正方向、电流强度为I的电流．已知金属导体单位体积中的自由电子数为n，电子电荷量为e，金属导体导电过程中，自由电子所做的定向移动可以认为是匀速运动，测出导体上、下两侧面间的电势差为U.求： (1)导体上、下侧面哪个电势较高？ (2)磁场的磁感应强度B是多少？;尝试应用 1. 在翻盖手机中，经常用霍尔元件来控制翻盖时开启或关闭运行程序．如图是霍尔元件示意图，磁场方向垂直于霍尔元件工作面，通入图示方向的电流I，MN两端会形成电势差UMN，下列说法正确的是(　　) A．电势差UMN仅与材料有关 B．若霍尔元件的载流子是自由电子，则电势差UMN＞0 C．仅增大M、N间的宽度，电势差UMN变大 D．通过控制磁感应强度可以改变电势差UMN;典题示例 如图所示为一速度选择器，内有一磁感应强度为B、方向垂直纸面向外的匀强磁场，一束粒子流以速度v水平射入，为使粒子流