光刻清洗工艺简介（副本）.pptVIP

大 纲 光刻工艺介绍 一、光刻概述 二、工艺流程 三、主要工艺设备介绍 四、其他 清洗工艺介绍 一、清洗概述 二、常用湿法清洗（腐蚀）方法 三、清洗机及超声清洗 四、等离子清洗机 五、常用化学品理化特性 光刻工艺介绍 一、光刻概述 二、工艺流程 三、主要工艺设备介绍 四、其他 一、光刻概述 1、什么是光刻 通过曝光将掩模板（reticle）上的图形，转移到晶片（wafer）上的过程叫光刻，图形转移过程包含两个步骤： （1）通过曝光将掩模板图形转移到光刻胶上 （2）通过显影将曝光后溶于显影液的光刻胶溶解掉，显露出我们需要的功能窗口。 2、光刻的质量 光刻的质量:用分辨率、光刻精度以及缺陷密度等来衡量。 影响光刻质量的主要因素是：光刻胶、光刻掩模板、曝光方式、曝光系统等。 3、基本流程 （一）、表面处理 为什么要进行表面处理 由于晶圆容易吸附潮气到它的表面。光刻胶黏附要求要严格的干燥表面， 所以在涂胶之前要进行脱水烘焙和黏附剂的涂覆。脱水烘焙的温度通 常在140度到200度之间。有时还要用到黏附剂，黏附剂通常使用HMDS （六甲基二硅胺脘）。表面处理的主要作用是提高光刻胶与衬底之间的粘附力，使之在显影过程中光刻胶不会被液态显影液渗透。（如下 图） 是否要使用黏附剂要根据图形大小、衬底及光刻胶的种类 来决定，HMDS 可以用浸泡、喷雾和气相方法来涂覆。 二、光刻