反转胶lift_Off工艺制备堆栈电感.pdfVIP

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2017-05-29 发布于浙江
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反转胶lift_Off工艺制备堆栈电感.pdf

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反转胶lift_Off工艺制备堆栈电感

16 2 Vo.l16, No.2 2010 4 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES Ap.r, 20 10 :1007 -4252 (2010 )02-0 109 -05 lift-Off 何大伟, 程新红, 王中健, 徐大朋, 宋朝瑞, 俞跃辉 (中国科学院上海微系统与信息技术究所, 信息功能材料国家重点实验室上海 200050 ) :本文采用反转胶 lift- off工艺, 对比分析了金属淀积方式、光刻胶的选择及光刻胶烘干时间对金属剥离效果的影响, 制备出最小线宽 4μm, 最小间距 4μm, 厚度为 1μm, 线宽误差小于 0.5μm 的金属线条, 并最终实现具有三层金属的堆栈电感, 经光学显微镜和台阶仪观测表明, 器件外观良好成品率高。 :堆栈电感;lif-tof;f金属剥离;反转胶;SOI :TB34　　:A Fbrictionofstckedinductorbyinversionphotoresistlift- offprocess HED-we,iCHENGXin-hong, WANGZhong-jin, XUD-peng, SONGZho-ru,iYUYue-hui (StteKeyLbortoryofFunctionlM terilsforInform tic,sShnghiInstitute ofMicrosystem ndInform tionTechnology, ChineseAcdemyof Science,sShnghi200050, Chin) Abstrc:tInthisppe,r thestckedinductorswerefbrictedwiththreemetllyersbytheinversion photoresistlift- offproces,s ndtheeffectofmetldepositionmethod、 photoresistselection nddrying tmiewere nlyzed, finlly, theinductorswiththeminmiummetllinewidthof4μm, theminmium spce of4μm ndthemetlthicknessof1μmwerefbricted, Thedeviceshvegood pperncewithhighpro- ductionyieldobservedbytheopticlmicroscopendstepprofile.r Keyword:sstckedinducto;r lift-of,fmetl-strippin;ginversionphotoresis;tSOI 0　。 N [ 1] , , N, , , , Q , [ 2] , 。 , , :2009-0 1-10;　　:2009-07-10 :(No.10775 166 );(No.200 8C31002 ). :(1983 - ), , , SOI、(E-m i:ldvidhee@m i.lsim. c.cn). :, , (E-m i:lxh cheng@m i.lsmi. c.cn). 110 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 16 , , , , , , , , ,