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红外成像技术专利申请分析 　　摘 要：自1800年英国天文学家发现红外辐射以来，经过两个多世纪的发展，红外成像技术由最初主要用于军事上的跟踪定位，发展到如今在交通、环境、制造业等领域的全面覆盖，并且先进的红外成像技术更加成为智慧城市建设中的重要帮手。文章通过详尽的专利数据，从申请态势、区域、技术主题、申请主体等方面对红外技术的发展进行全面分析 关键词：红外成像；专利；区域分布；申请主体 引言 红外成像器[1]按照其工作原理分为基于光电效应的光子探测器和基于热效应的热探测器，其中光子探测器包括HgCdTe、量子阱、超晶格等光导型以及InSb、肖特基结等光伏型器件，而热探测器主要包括热敏电阻、热释电、热电堆、二极管型，其中，光子探测器由于通常在77k的低温下工作，因而需要昂贵的制冷设备，该要求限制了其大规模的民用，而热探测器则由于其相对低廉的成本，且其中最主要的热敏电阻型探测器能与Si基半导体工艺兼容，因此近年来成为智慧城市建设、智能家居市场的重要技术 1 红外成像技术专利申请态势 全球范围内的红外成像技术的专利申请以时间为轴线，结合其发展节点，大致可分为以下几个时期： （1）起步期（1970年之前）。从十九世纪至二十世纪六十年代的这段时期，红外技术处于起步阶段，从英国天文学家赫谢耳（Herschel）发现了红外辐射的存在到利用红外辐射进行热探测成像，其间经历了漫长的研究时间，在这一阶段红外成像技术领域的全球专利申请量只有几件 （2）缓慢增长期（1971-1986年）。二十世纪六十年代中叶起，红外技术开始得到了发展，专利申请集中在以HgCdTe为代表的光子探测器，这一阶段的红外技术主要服务于国防军事 （3）平稳增长期（1987-2005年）。这一时期的红外成像技术开始实现由制冷型向非制冷型的过渡和转变，对非制冷红外成像器的研制给红外技术带来了新的增长点。80年代初，由美国TI公司率先研制出了非制冷型热成像系统；1989年，美国的HONEYWELL公司在政府的资助下成功研制出了室温下的热探测器-采用硅微桥的氧化钒微辐射计的非制冷红外焦平面探测器；相继的，法国的CEA/LETI公司、日本的三菱和NEC公司也均在这一时期从事非制冷红外热成像技术的研究。全球专利申请在这一时期得到了更快地发展和增长；尤其在1994-1997年期间，美国及日本多家公司从HONEYWELL公司得到技术转让，生产出一系列以氧化钒微测辐射热计为基础的非制冷红外焦平面阵列，非制冷探测器由此得到一段时间的快速与广泛发展 （4）快速扩张期（2006年至今）。这一时期的红外技术发展趋近成熟，红外技术也开始大量涌入民用领域，包括驾驶导航、目标识别、报警监测、智能家居、数字安防等等，这一时期红外成像技术领域的全球专利申请量处于快速上升期，特别是包括广州飒特、武汉高德等中国公司的申请数量开始快速增长 2 红外成像技术专利区域分布 红外成像技术领域，全球专利申请的主要目的地是美国专利商标局（USPTO）、世界知识产权组织（WIPO）、中国国家知识产权局（SIPO）、欧洲专利局（EPO）、德国专利商标局（DMPA）、日本特许厅（JPO）、韩国知识产权局（KIPO）等 基于统计结果的约1600项专利，根据专利申请的公开号进行统计，向上述六局提交的专利申请数目分别为：美国专利商标局（US）1985件，占申请总量的26%；欧洲专利局（EP）1070件，占申请总量的15%；世界知识产权组织（WO）933件，占申请总量的13%；日本特许厅（JP）869件，占申请总量的12%；德国专利局（DE）506件，占申请总量的7%；中国国家知识产权局（CN）304件，占申请总量的4%；韩国知识产权局（KR）151件，占申请总量的2%；其他国家和地区共占申请总量的21% 3 红外成像各技术主题专利申请趋势 从红外成像技术专利申请的技术侧重点，将其主要分为热探测器、光子探测器、成像系统、图像处理与分析、读出电路、系统应用、通用焦平面阵列和系统集成8个分支，从图1可看出，光子探测器在上世纪90年代一度成为研究热点，但在进入21世纪之后申请数量急剧下降，证实了其脱离民用，基本服务于军事、国防等保密领域，另外，热探测器经历了2003年前后的爆发式增长之后，近年来趋于平稳，而读出电路、探测系统、图像处理与分析和系统应用成为红外成像技术领域的重要分支，进入2000年以后申请量保持较高水平 4 红外成像技术申请主体分析 就全球主要申请主体来看，排在前十位的申请人集中在美日欧国家和地区，其中美国的公司占得六席，欧洲、日本各占有两席，可见美国在红外成像技术领域的专利份额举足轻重。排在前三位的均为美国公司，分别为雷神公司（RAYTHEON）、前视红