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毫米波理论与技术 第二章毫米波固态源 第六章毫米波固态电路 2009年4月 毫米波真空管分类 慢波型 快波型 正交场放大器（CFA ） 回旋管（Gyrotron） 磁控管（Magnetron） 莱达管（Ledatron） 速调管（Klystron） 潘努管（Peniotron） 行波管（TWT ） 返波管（BWO） 毫米波固态源分类 二端器件 IMPATT Gunn 三端器件 MESFET HEMT FET PHEMT FET 倍频器 §2.1 固态振荡器的一般理论 振荡器 换能器：DC→AC 放大器：G→∞ 非线性电路 负阻振荡的基本原理 直流静态电阻永远为非负值 R=V/I ≥0 负阻是就动态电阻而言的，即器件V-A特性曲线上 某处的斜率r=dv/di 0 振荡的三种条件 只考虑稳态振荡时器件中的电流基波分量 i(t)=Acos( ωt+ φ) 设器件的微分阻抗和电路阻抗分别为 Z (A)=-R (A)+jX (A) d d d Z ( ω)=R ( ω)+jX ( ω) c c c 则 起振条件 R (A)R ( ω) d c 平衡条件Z (A)+Z ( ω)=0 d c 稳定条件 振荡器噪声分析 注入锁定 §2.2 IMPATT振荡器 1958年Read提出模型 + 1965年Johnston首次从工作在雪崩区的p n 二极管中观察到了微波振荡 单双漂结构对比 单漂区（SDR ） 双漂区（DDR） + + + + 结构 p -n-n p -p-n-n 漂移区数量 1 2 结面积 较小 较大 输出功率 较小 较大 工艺复杂性和成 较低 较高 本 毫米波IMPATT二极管 的封装结构和热模型 IMPATT二极管CW功率随频率变化 IMPATT二极管脉冲功率随频率变化 IMPATT二极管封装结构 （100GHz以下） 陶瓷环封装 f50GHz 石英环封装 50GHzf100GHz IMPATT二极管开放结构 （100GHz以上） 单石英支撑