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硅元素对Si―Al电子封装材料性能的影响 　　摘 要本实验以硅粉和铝粉为原材料，采用放电等离子烧结工艺（SPS）制得Si/Al复合材料并对样品的物理性能和机械性能进行研究。实验结果表明：烧结过程中铝均匀分布在硅颗粒周围，随着硅含量增加，材料的密度、热膨胀系数、电导率都降低，最佳性能匹配为60%Si的硅铝复合材料 【关键词】SPS烧结 硅元素 物理性能 现代的电子产品在使用过程中要求具有良好的散热性能，防止半导体器件的失效。研究表明温度每升高10℃，硅半导体的寿命就减少1/3左右，这就需要高散热性的电子封装材料，其热膨胀系数要与Si和GaAs半导体材料匹配，传统的电子硅元素对Si-Al电子封装材料性能的影响 文/吕荣青1，2金等，已经不能满足高导热低膨胀的综合性能要求。新型的高Si-Al合金复合材料显示出了它的优越性，Al具有低的密度和较高的热导率，Si本身就是半导体材料，两者结合可以获得轻质低热膨胀高导热率优良Si-Al电子封装材料。英国的Osprey金属公司采用喷射沉积+热等静压的方法制备了具有优良性能的电子封装材料，但这种方法制造成本高，对设备要求很高。日本住友电器生产了40Si-Al材料CMSHA-40，但综合性能指标仍不十分理想 粉末冶金工艺通过改变Si颗粒与Al粉末的粒度组成和质量比，成分和成形都易于控制，可制备高密度的复合材料。本研究采用粉末冶金法开发不同Si含量的Si-Al电子封装材料，并对制备工艺和性能进行探讨 1 试验 实验用的原料为水雾化Al粉和Si粉。Al粉为近球形，Si粉为不规则多边形。将平均直径125ηm的Si粉和平均直径12.5ηm的铝粉按质量比3：7、1：1、6：4、7：3在行星球磨机中混合均匀，转速为260r/min，混合1h。使用上海晨鑫生产的SPS-30放电等离子烧结炉，脉冲持续时间为3ms，电流开关比为11：2，真空度小于1pa，在尺寸为85mm×40mm×75mm的圆柱形石墨模具中烧结，石墨毡用来隔热保温，用铂铑热电偶测试温度变化，升温速率100℃/min，样品在580℃烧结温度下保温5min，压力保持在45MPa 粉末冶金烧结试样采用线切割加工成Φ10mm×5mm的圆柱，然后用TC-7000激光热常数测量仪测定常温下材料的热导率；采用OLYMPUS-GX51型金相显微镜和Hitachi S-4800N型扫描电镜观察材料的微观组织，采用Archimedes排水法测定材料的密度 2 实验结果及分析 2.1 颗粒形貌 图1展现的是不同硅含量的Si/Al混合粉的形貌照片，可以看出，铝粉主要为近球形，硅粉为不规则多边形，并且粉末混合均匀，无明显偏聚现象 2.2 复合材料组织性能 图2是不同硅含量Si/Al复合材料的金相组织，可以看出复合材料的组织烧结致密，具有相互连接的网状组织结构。因为铝和硅的熔点分别为660℃和1420℃，因此，不可能用同样的烧结方法使复合材料达到致密化，材料内部产生空隙，影响材料的性能。放电等离子烧结使每一个颗粒表面均匀的产生热量，活化颗粒表面，铝熔化后流入硅颗粒的间隙中，促进了材料的致密化。同时，随着硅含量的增加，复合材料中的空隙增多，铝含量减少致使流入空隙中的铝熔液量降低，空隙变多，密度降低，并且空隙作为裂纹源，降低了材料的机械性能和热性能。所以硅的含量要合理控制来保证复合材料的综合性能 2.3 复合材料物理性能 2.3.1 密度 复合材料理论密度ρt用以下公式计算： ρt=ρSiVSi+ρAlVAl （1） 其中ρi为复合材料的密度，Vi为复合材料组分的体积分数。ρSi为2.34g/cm3，ρAl为2.70g/cm3 表1列出了不同硅含量的Si/Al复合材料的密度，随着硅含量的增加复合材料的密度逐渐降低，这与金相组织的观察结论是一致的，并且可以看出，Si/Al复合材料的密度相对较低，从而可以应用在电子器件、航空零部件等领域 2.3.2 热膨胀系数 热膨胀性能是电子封装材料非常重要的性能指标，而热膨胀系数（CTE）是评价热膨胀性能的指标之一。热膨胀系数在理论上应用Turner模型和Kerner模型来进行计算，然后比较分析计算所得值与实验值的差异。图3所示为复合材料热膨胀系数理论计算值和实验值随Si含量的变化曲线。由此可以看出，该所述Si/Al复合材料的热膨胀系数随Si含量的增加逐渐降低 图3中，硅含量为60%的铝硅复合材料的热膨胀系数为10.5×10-6K-1，比Kerner模型数值低，比Terner模型数值高，但差距不大，说明模型的假设条件是有局限性的，但不影响对材料性能的估计。由于SPS工艺制备的材料组织均匀，由热膨胀引起的残余应力大大降低，同时，由于60%的铝