单片机6-2 程序存储器与数据存储器的扩展.ppt

第6章 单片机系统的并行扩展之第二讲 程序存储器和数据存储器的扩展 常用EPROM芯片介绍 典型芯片是27系列产品，例如， 2764 （8KB×8） 27128（16KB×8） 27256（32KB×8） 27512（64KB×8） “27”后面的数字表示其位存储容量。 扩展程序存储器时，应尽量用大容量的芯片。 1、常用的EPROM芯片 引脚功能如下： A0～A15：地址线引脚。数目决定存储容量。 D7～D0：数据线引脚 CE*： 片选输入端 OE* ： 输出允许控制端 PGM*： 编程时，加编程脉冲的输入端 Vpp： 编程时，编程电压（+12V或+25V）输入端 Vcc： +5V，芯片的工作电压。 GND： 数字地。 NC： 无用端 2. EPROM芯片的工作方式 （1）读出方式 片选控制线为低, 输出允许为低，Vcc为+5V，指定 地址单元的内容从D7～D0上读出。 （2）禁止输出方式 输出呈高阻状态，不写入程序 （3）未选中方式 片选控制线为高电平。 （4）编程方式 Vpp端加规定高压, CE*和OE*端加合适电平，就能将数据线上的数据写入到指定的地址单元。 （5）编程校验方式 （6）编程禁止方式 输出呈高阻状态，不写入程序。 3、典型的EPROM接口电路 使用单片EPROM的扩展电路 2716、2732 EPROM价格贵，容量小，且难以买到。 仅介绍2764、27128、27256、27512芯片的接口电路。 下图为外扩32K字节的EPROM 27256的接口电路图 。 MCS-51外扩单片32K字节的EPROM 27256的接口。 使用多片EPROM的扩展电路 扩展4片27128。 1、常用的静态RAM（SRAM）芯片 典型型号有:6116、6264、62128、62256。+5V电源供电，双列直 插，6116为24引脚封装，6264、62128、62256为28引脚封装。 各引脚功能如下: A0～A14：地址输入线。 D0～D7：双向三态数据线。 CE*： 片选信号输入。对于6264芯片，当CS为高电平,且CE* 为低电平时才选中该片。 OE*： 读选通信号输入线。 WE*： 写允许信号输入线，低电平有效。 Vcc： 工作电源+5V GND： 地 有读出、写入、维持三种工作方式。 2. 典型的外扩数据存储器的接口电路 用线选法扩展8031外部数据存储器的电路。 地址线为A0～A12，故剩余地址线为三根。用线选法可扩展3片6264。3片6264对应的地址空间如下。 各片62128地址分配 P2.7 P2.6 译码输出 选中芯片 地址范围 存储容量 0 0 YO* IC1 0000H-3FFFH 16K 0 1 Y1* IC2 4000H-7FFFH 16K 1 0 Y2* IC3 8000H-BFFFH 16K 1 1 Y3* IC4 C000H-FFFFH 16K IC2和IC4占用地址空间为2000H～3FFFH共8KB。同理IC1、IC3地址范围4000H～5FFFH（P2.6=1、P2.5=0、P2.7=0）。 例：采用译码器法扩展2片8KB EPROM，2片8KB RAM。EPROM选用2764，RAM选用6264。共扩展4片芯片。 （2）外扩存储器电路的工作原理及软件设计 1) 单片机片外程序区读指令过程 2)单片机片外数据区读写数据过程 例如，把片外1000H单元的数送到片内RAM 50H单元，程序如下： MOV DPTR，#1000H MOVX A，@DPTR MOV 50H，A 例如，把片内50H单元的数据送到片外1000H单元中，程序如下： MOV A,50H MOV DPTR,#1000H MOVX @DPTR,A 例:将程序存储器中以TAB为首址的32个单元的内容依次传送到外部RAM以7000H为首地址的区域去。 本程序的循环次数为32，R0的值：0～31，R0值达到32就结束循环。 MOV DPTR,#7000H MOV R0,#0 AGIN: MOV A,R0 MOV DPTR, #TAB MOVC A, @ MOVX @DPTR,A