金属化工艺.doc

第十三章 金属淀积 概述 集成电路的制造可以分成两个主要的部分。首先，在晶片的表面制造出有源器件和无源器件，这称作前线或者FEOL。在后线（BEOL）中，需要在芯片上用金属系统来连接各个器件和不同的层。在这一章中，金属化工艺所要用到的材料、规格、工艺将随着金属在芯片制造中的应用而逐步阐明。在CVD中所使用的真空泵、蒸发、离子注入和溅射系统将在这一章的结束时进行介绍。 目的 完成本章后您将能够： 能够列举出对于芯片表面导体所使用的金属材料的要求。 能够画出单层和多层金属结构的截面图。 能够描述薄膜熔丝的工作过程和目的。 能够列出在半导体器件的金属化工艺中所使用的材料，并能指出各自的特殊用途。 能够画出和指出真空蒸发器的各个部分。 能够描述溅射系统的原理。 能够画出和指出溅射系统的各个部分。 能够描述油扩散泵、涡轮泵和低温高真空泵的原理和操作。 介绍 金属薄膜在半导体技术中最一般和最常见的用途就是表面连线。把各个元件连接到一起的材料、工艺、连线过程一般称为金属化工艺（metallization）或者金属化工艺流程（metallization process）。金属化工艺包括了在第五章中描述的所有的金属化工艺顺序流程的各个步骤。 单一导体层金属 在中等规模的集成电路时代，金属化工艺相对要简单一些（图13.1），仅需要单层金属的工艺流程。首先在表层蚀刻连接各个器件／集成电路元件的小孔，它们被称为“连接孔（contact holes）”或“连接（contacts）”；然后通过真空蒸发、溅射或CVD技术在整个晶片表面淀积一层导体金属（一般是铝或铝合金）薄层（10,000到15,000?）；这一层中不想要的部分通常用传统的光刻和蚀刻程序或升-离法去掉；做完这一步之后，晶片表面就留下了金属细线，它们被称为“导线”（leads）、“金属线（metal lines）”或“互相连接（interconnects）”。通常来说，为了确保金属和晶片之间具有较好的导电性能，经常在金属的光刻之后进行加入一个热处理步骤，或者称作“合金化（alloying）”过程。 1. Wafer with Doped Regions 2. Patterning: Contact Mask 1.晶片及其掺杂的区域 2. 光刻：连接层光刻 3. Layering: Contact layer 4. Patterning: Metal Mask 3. 淀积：导电层 4. 光刻：金属光刻 图13.1 金属化工艺流程 不管金属化系统的结构如何，它必定符合以下的条件： **良好的电流负载能力（电流密度） **和晶片表面（通常是SiO2）具有的良好的粘合性 **易于光刻 **和晶片材料具有良好的电接触性能 **高纯度 **耐腐蚀 **具有长期的稳定性 **能够淀积出均匀而且没有“空洞”和“小丘”的薄膜 **均匀的颗粒结构 多层金属导体框架 增加芯片密度能够在晶片表面放置更多的元件，这实际上就减少了表面连线的可用空间。这个问题的解决方法就是利用有二至四层独立金属层（图.13.2）的多层金属结构。到2012年，芯片上的金属层可望达到9层。1（图13.3显示了一个典型的两层金属的堆栈结构）这种堆栈结构的底部是在硅表面形成的硅化物隔离层，这有利于降低硅表面和上层之间的阻抗。如果铝作为导电物质的话，隔离层也能够阻止铝和硅形成合金。接下来是由某种绝缘物质构成的绝缘层，我们称之为“金属间绝缘层”（IDL或IMD）它在两个金属层之间提供电绝缘作用。这种绝缘材料可能是淀积的氧化物、氮化硅或聚酰亚胺膜。这一层需要进行光刻以形成新的连接孔，这些连接孔被称为过孔或接线柱，它们直达第一层金属。在这些连接孔中淀积导电的物质，就可以形成导电的接线柱。紧接着，第一层的金属层被淀积并光刻。在以后的工艺中，重复IMD∕接线柱 ∕金属淀积∕光刻，就形成了多层金属系统。和单层金属系统相比，多层金属系统更昂贵，良品率较低，同时需要努力使晶片表面和中间层平整化，才能制造出比较好的载流导线。 图13.2 多层金属结构（经”半导体服务”允许 1997年7月） 图13.3 二层金属结构（经”半导体服务”允许 1998年1月） 导体 铝 这一部分我们将介绍三种主要的用于金属连接的金属。在超大规模集成电路发展之前，主要的金属化工艺材料就是纯铝。通常来讲，了解我们为什么选择铝以及铝的局限性，对于理解金属化工艺系统是很有教育意义的。从导电性能的观点来看，铝的导电性要比铜和金差些。