双激子与浸润层泄漏以及俄歇俘获对量子点Rabi振荡衰减的影响.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 )) ) 3 ) ， ， ， SL8 /)) ZL /) [,\ 3 （ ） !6%*V3V)) ) V!63 JNPJ WXYDHNJ DHZHNJ !3 N.; / W\2 / DLB / 双激子和浸润层泄漏以及俄歇俘获对量子点 !#$ 振荡衰减的影响! ） ） ） ）） ） ） ! ! ! ! ! # 刘绍鼎 程木田 周慧君 李耀义 王取泉 薛其坤 !）（武汉大学物理系，武汉 $%’ ） ）（中国科学院物理研究所，国际量子结构中心，北京 !( ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ) * ! ) * !% 研究了脉冲激光激发下半导体量子点激子 振荡中多能级过程引起的退相干特性 运用多能级粒子数运动 +,-. / 方程组，分别计算和分析了三种多能级过程（双激子、浸润层泄漏以及俄歇俘获过程）对量子点中+,-. 振荡衰减的 影响 分析表明，双激子的影响在激发脉冲的脉宽较长时（ ）可以忽略；浸润层的泄漏虽然使得激子基态上粒子 / 0 )12 数振荡的振幅随着激发场的增强而减小，但是同时也导致了振荡平均值的减小；分析和讨论了两种俄歇俘获方式 对激子振荡和复合发光的影响/ 关键词： 振荡，半导体量子点，退相干，俄歇俘获 +,-. ： ， ， %’’ %3) $) ’%4 ［ ］ 影响!3 / !C 引 言 本文研究了双激子、浸润层泄漏以及俄歇俘获 三种多能级过程在) C$12 脉冲激发下对半导体量子 被称为“人工原子”的半导体量子点在固态量子 点+,-. 振荡衰减的影响，对这三种多能级退相干过 信息和量子计算领域具有很重要的意义 对量子点 程引起+,-. 振荡衰减的特性进行对比，并对量子点 / 中量子态的相干操纵是近期的研究热点之一/ +,-. 中的两种俄歇俘获过程进行了分析/ 振荡和量子干涉效应作为相干操纵的基础，也引起 了广泛的关注 年， 等在 量子点 理论分析 /! DE.@F,E@G H;I,J2