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第1章 半导体器件 第 1 节 半导体基础 第 2 节 半导体二极管 第 3 节 特殊二极管 第 4 节 晶体三极管 第 5 节 场效应管 第1章 重点 PN结的形成及其单向导电性 二极管的伏安特性 三极管的工作原理与伏安特性 第1章作业 B E C IB IE IC PNP型三极管 B E C IB IE IC NPN型三极管 电流实际方向 实验电路 三、 晶体管的特性曲线 线性工作区 工作压降： 硅管UBE?0.7V 锗管UBE?0.3V 死区 死区电压： 硅管0.5V 锗管0.2V 1、输入特性曲线 （同二极管） IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 常数 当UCE大于一定的数值时，IC基本只与IB有关，IC=? IB。 2、输出特性曲线 条件：发射结正偏,集电结反偏。 功能：电流放大 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 放大区 常数 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A UCE ? UBE,集电结正偏， IC ? IB ，称为饱和区。 条件： 发射结正偏 集电结正偏 饱和区 UCES 硅管：0.3V 锗管：0.1V 功能： RCE≈0 近似电子开关接通 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A IB=0, IC=ICEO UBE 死区电压，称为截止区。 条件： 发射结反偏 集电结反偏 IB=0 截止区 功能： RCE≈∞ 近似电子开关断开 例1.已知EC=10V, EB = 5V, UBE = 0.7V, RC=3kΩ， RB=200kΩ， β=100. 求： 1 ） IB ，IC. 判断三极管是否处于放大状态. 2）当RB=100kΩ时，三极管是否处于放大状态？ 解： 1） 说明发射结正偏，集电结反偏， 故三极管处于放大状态。 2). 集电极临界饱和电流： 基极临界饱和电流： 当RB=100kΩ时，基极电流： 故三极管处于饱和状态。 例2.测得在放大状态的两个三极管的电位分别为：2.5V、 3.2V、 9V 和－0.7V、－1V、－6V，试判断这两个三极管的类型和管脚。 解： 三极管在放大状态。说明发射结正偏，集电结反偏。 对NPN：UBE 0、 UCB 0。 说明 VC VB VE NPN型三极管一般为硅管UBE = 0.7V， PNP型三极管一般为锗管UBE = －0.3V B E C B E C 对PNP ：UBE 0、 UCB 0。 则为 VC VB VE NPN型硅管 PNP型锗管 四、主要参数 1.电流放大系数β=(?IC/?IB≈IC/IB) (一般20-100) 2.集-基反向饱和电流ICBO (CB之间PN结反向电流) 3.穿透电流ICEO=(1+β)ICBO IC UCE ICUCE=PCM ICM UCEO 安全工作区 4.集电极最大电流 ICM 5.集射反向击穿电压 UCEO 6.集电极最大耗散功率 PCM 五. 温度对三极管参数影响 第5节 场效应管 场效应管与三极管不同，它只由多子导电，称为单极型晶体管。它是电压控制器件。其输入阻抗高，温度稳定性好。 场效应管 结型 绝缘栅型 N沟道MOS管 P沟道MOS管 增强型 耗尽型 N沟道MOS管 P沟道MOS管 N沟道MOS管 P沟道MOS管 一、绝缘栅型场效应管的基本结构 P N+ G S D B N+ N沟道 N P+ G S D B P+ P沟道 N沟道 P型半导体: 衬底, 掺杂浓度低, 引出B 叫衬底引线 N型半导体: 掺杂浓度高, 引出D叫漏极, S叫源极 二氧化硅绝缘层, 上为金属铝膜, 引出G叫栅极 P N N G S D G S D N沟道增强型 N沟道耗尽型 G S D P N N G S D 予埋了 导电沟道 N P P G S D G S D P沟道增强型 P沟道耗尽型 G S D N P P G S D 予埋了 导电沟道 UGS=0时 D-S间相当于两个PN结 二、MOS管的工作原理 (N沟道增强型场效应管为例) 对应截止区 ID=0 P N N G S D UDS UGS B UGSON称为开启电压 P N N G S D UDS=0 UGS B UGS0时 UGS足够大时（