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中文题目 第1作者姓名1，第2作者2，第3作者3* (1.单位全名 部门(系)全名,省 市(或直辖市) 邮政编码；2. 单位全名 部门(系)全名,省 市(或直辖市) 邮政编码；3.……) 摘 要: 摘要内容(包括目的、方法、结果和结论四要素) 请作者重视摘要的写作，第三人称叙述，不应出现“本文” 关键词: 关键词1; 关键词2；关键词3；……（一般可选3~8个关键词，用中文表示，不用英文，分号隔开） 中图分类号: ****　（注意字母O和数字o的区别）　　 文献标识码: A 示例 高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSb I型量子阱室温工作激光器 1,2，张 宇1,2*，廖永平1,2，黄书山1,2，杨成奥1,2，孙姚耀1,2，徐应强1,2， 牛智川1,2* (1.中国科学院半导体研究所 超晶格实验室，北京 100083; 2.中国科学技术大学 量子信息与量子科技前沿协同创新中心，安徽 合肥 230026) : 成功制备出2.6 μm GaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器。利用分子束外延设备（MBE）生长出器件的材料结构。为了得到更好的光学质量，将量子阱的生长温度优化至500，并将量子阱的压应变调节为1.3%。制备了脊宽100 μm 、腔长1.5的激光单管器件。在未镀膜下该激光器实现了最大32