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第九章 热电式传感器 利用某些材料或元件的物理特性与温度有关的性质，将温度的变化转化为电量的变 化。 包括：热电阻、PN 结、热电偶、石英晶体、热辐射式温度传感器. §9—1 热电阻式传感器 热电阻效应——物质的电阻率随本身温度的变化而变化。 电阻与温度的关系： R R [1(T T )] T 0 0 —T0 时的电阻温度系数 R —T 时的电阻 0 0 金属、单晶半导体， 0 ，陶瓷半导体（热敏电阻） 0 。   半导体热敏电阻：（主要介绍NTC 型，负温度系数） 1、电阻—温度特性： 1 1 B (  ) T T R R e 0 （9-5 ） T 0 B—热敏电阻的材料常数2000~6000K T —标准参考温度（单位：K ） 0 R —T 时的阻值 0 0 2 、温度系数：对（9-5 ）微分，除以R ，可得温度系数。 T 1 dR B -1   T  （单位：K ） R dT T 2 T 2 与T 成反比，是T 的非线性函数。 3、伏安特性 PA ：线性段，功耗1mw A 点是没有自热时的Imax1  AB ：正阻区段，W 耗10mw I ↑，W 耗↑， T 自热T 环境，R ↓，电压增加变缓。 T B 点，R 0 ，T 自热=T 环境  BC ：负阻区段，I ↑，V↓，T 自热↑↑，R ↓↓， T 当I允许值，热能电阻将损坏。 C 点—最大安全电工作流点。 4 、热敏电阻的线性化 温度量程较大时，非线性影响较大，两种方法线性化 图9-4 1 ①恒流源供电，用RP 与RT 并联 B 2T B R ( i ) P T B 2T i T —测温中点 i V —指示温度 RT ②恒压源供电，用RS 与RT 串联 1 B 2T G ( i ) T R i B 2T S i I —指示温度 G —热敏电阻在T 时的电导。 RT T i i 5、测温电路 1）直接测量热敏电阻上的V 或I T T 2 ）惠斯顿电桥 ①直