过剩载流子和其基本理论.pdfVIP

过剩载流子及其基本理论 在半导体中，有两种类型的载流子：电子和空穴，它们都对电导率有影响。 因为半导体的性质很大程度上取决于导带电子和价带空穴的数目。因此，这些载 流子的浓度是半导体的一个重要参数。电子和空穴是微观粒子，对它们的严格描 述会涉及到统计物理学，量子力学等，而它们的浓度与状态函数及费米分布函数 相关。 处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度时一定的。这种处于 热平衡状态下的载流子浓度，称为平衡载流子浓度。如果以 n 和 p 分别表示平 0 0 衡电子浓度和空穴浓度，在非简并情况下，它们的乘积满足下式： E np NNexp( )g (1) 0 0 v c kT 0 0 式(2-1) 由费米能级的一般值推导而来，其中n 和 p 的值不一定相等。在非简并 情况下，无论掺杂多少，平衡载流子浓度 n0 和p 0 必定满足式(2-1)，因此它是非 简并半导体处于热平衡状态的判据。 1过剩载流子 在一定温度下，如果没有其他外界的作用，半导体中的导电电子和空穴是依 靠电子的热激发作用而产生的，电子从不断热振动的晶格中获得一定的能量，就 可能从低能态跃迁到高能量的能态，例如，电子从价带跃迁到导带（这就是本征 激发），形成导带电子和价带空穴。电子和空穴也可以通过杂质电离方式产生， 当电子从施主能级跃迁至导带时产生导带电子；当电子从价带激发到受主能级时 产生价带空穴等。这一过程称为载流子的产生。 与上述过程同时，还存在着相反的过程，即电子也可以从高能态跃迁至低能 态，并向晶格放出一定的能量，从而使导带中的电子和价带中的空穴不断减少， 这一过程称为载流子的复合。 在一定温度下，这两个相反的过程之间将建立动态平衡，称为热平衡状态。 这时，半导体中的导电电子浓度和空穴浓度都保持一个稳定的数值，这种处于热 平衡状态下的导电电子和空穴称为平衡载流子。 当温度改变时，破坏了原来的平衡状态，有建立起新的平衡状态，热平衡载 流子浓度也将随之发生变化，达到另一稳定数值。 如图 1 的实验表明，半导体的导电性强烈地随着温度而变化。实际上，这种 变化主要由于半导体中载流子浓度随温度而变化造成的。 R 温 半 控 导 室 体 图 1-1 半导体的导电性随温度变化的测量装置图 半导体的热平衡状态是相对的，有条件的。如果对半导体施加外界作用，如 光子能量大于带隙的光照射，加上电压偏置或者粒子束的撞击，都破坏了热平衡 的条件，迫使它处于热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡态。处于非平衡状态 的半导体，其载流子浓度也不再是 n0 和 p 0 ，可以比它们多出一部分。比平衡态 多出来的载流子 Δn 、Δp 称为非平衡载流子，也称为过剩载流子。 假设在一定温度，没有光照的情况下，一块 n 型半导体中电子和空穴浓度分 别为 n 和p ,则有 n p 。用光子能量大于带隙的光照射该半导体时，光子可以 0 0 0 0 把价带中的电子激发到导带，产生电子-空穴对，使导带比平衡时多一部分电子 Δn ，价带中比平衡时多一部分空穴Δp 。Δn 与Δp 就是过剩载流子浓度。这时， 电子被称为多数过剩载流子，而空穴被称为少数过剩载流子。p 型半导体就相反。