半导体器件物理第三章习题.pdf

第三章 3–1 ．（a ）画出PNP 晶体管在平衡时以及在正向有源工作模式下的能带图。 （b ）画出晶体管的示意图并表示出所有的电流成分，写出各级电流表达式。 （c ）画出发射区、基区、集电区少子分布示意图。 3–2 ．考虑一个NPN 硅晶体管，具有这样一些参数：xB 2μm ，在均匀掺杂基区 16 −3 2 。若集电结被反向偏置，I 1mA ，计算 N 5 ×10 cm ,τ 1μs, A 0.01cm nE a n 在发射结基区一边的过量电子密度、发射结电压以及基区输运因子。 3–3 ． 在3–2 的晶体管中，假设发射极的掺杂浓度为 18 −3 10 cm ，x 2μm ，τ 10ns ， E pE 发射结空间电荷区中，τ 0.1μs 。计算在I 1mA 时的发射效率和h 。 0 nE FE 3–4 ． 一NPN 晶体管具有以下规格：发射区面积=1 平方密耳，基区面积=10 平方密耳，发 射区宽度= 2μm ，基区宽度= 1μm ，发射区薄层电阻为2Ω/ ，基区薄层电阻为 200Ω/ ，集电极电阻率= 0.3Ω.cm ，发射区空穴寿命= 1ns ，基区电子寿命=100 ns ， 假设发射极的复合电流为常数并等于1μA 。还假设为突变结和均匀掺杂。计算 I E 10μA 、100μA 、1mA、10mA、100mA 以及1A 时的hFE 。用半对数坐标画出曲线。 中间电流范围的控制因素是什么？ x 3-5 ．（a ）根据式（3-19 ）或式（3-20 ），证明对于任意的 B 值公式（3-41 ）和（3-43 ） L n 2 Dn xB DPE 变成a11 −qAni [ (coth ) + ] N L L N x a n n dE E qAD n2 x a a n i csc h B 12 21 N L L a n n 2 Dn xB DPC a22 −qAni [ (coth ) + ] N L L N L a n n dC PC