ZnSe掺Cu与Zn空位缺陷的稳定性、电子结构与光学性质.pdfVIP

物理化学学报(WuliHuaxueXuebao) December Acta ．·Chim．Sin．2012，28(12)，2845-285l 2845 [Article】 doi：10．3866／PKU．WHXB20l21083 www．whxb．pku．edu．cn ZnSe掺Cu与Zn空位缺陷的稳定性、电子结构与光学性质 郭 雷 胡 舸 张胜涛 (重庆大学化学化工学院，重庆400044) 摘要： 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法，对ZnSe闪锌矿结构本体、掺入p型 杂质Cu(Zn0．875Cu0．125Se)及Zn空位(Zn0．875Se)超晶胞进行结构优化处理．计算并详细分析了缺陷体系的形成能 和三种体系下ZnSe材料的态密度、能带结构、集居数、介电和吸收光谱．结果表明：在Zn空位与Cu掺杂ZnSe 体系中，由于空位及杂质能级的引入，禁带宽度有所减小，吸收光谱产生红移 单空位缺陷结构不易形成， Zn0 ． 878Se结构不稳定，Cu掺杂ZnSe结构相对更稳定． 关键词：硒化锌； 空位缺陷：Cu掺杂： 电子结构：光学性质：第一性原理 中图分类号：O641 DefectsEnergetics，ElectronicStructureandOpticalPropertiesof Cu-DopingandZnVacancyImpuritiesinZnSe GUO Lei HU Ge ZHANG Sheng—Tao (CollegeofChemistryandChemicalEngineering,ChongqingUniversity,Chongqing400044,PR．China) Abstract： Basedonthefirst—principleswithinthedensityfunctionaItheory．thegeometricstructuresof pedectzincblendZnSe，thatwithZnvacancies(Zn0．875Se)andCu—dopedZnSe (Zn0．875CU0．125Se)were optimized using the plane-wave ultrasoftpseudopotentiaImethod．The defectformation energy，band structure，densityofstates，Mullikencharges，andopticalspectrawerecalculatedanddiscussedindetail． TheresultsdemonstratedthatinZn0 SeandZn0875Cu0 ． 878 ． 128Se systems。becauseoflhe jntroductionofthe vacancyacceptorIeveJoracceptorimpuritylevel，thebandgapjsreduced，andtheabsorptionpeaksshow a remarkable redshift．Cu doping into theZnSe system wasfound to be relatively stable，while the m0nOVacancysystem wasnot． KeyWords： ZnSe；Vacancydefect； Cudoping； Electronicstructure； Opticalproperty