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说明导带,价带,禁带的含义.价带：被价电子填充的能带导带：被自由电子填充的能量最低的能带禁带：导带底与价带顶之间能带说明施主,受主,浅能级杂质, 深能级杂质的含义。施主：向半导体提供一个电子本身成为带正电的离子的的杂质原子受主：向半导体中提供一个空穴而本身接受一个电子并成为带负电的离子的杂质原子浅能级杂质：处在离导带和价带较近的能级中的杂质深能级杂质：处在离导带和价带较远的能级中的杂质说明费米能级，有效质量，迁移率，扩散运动，漂移运动的含义。费米能级：绝对零度下电子的最高能级，反映电子的填充水平。有效质量：电子在加速运动中表现出来的质量。迁移率：反映半导体中载流子导电能力的参数扩散运动：载流子电场作用下形成漂移运动以外，因在空间的不均匀分布，由高浓度区域向低浓度区域运动．漂移运动：载流子在电场作用下的定向运动。画图说明扩散渗杂，离子注入工艺原理。画图说明蒸发成膜，溅射成膜的工艺原理。画图说明光刻工艺原理画图说明反应离子刻蚀工艺原理。说明塑封DIP（双列直插式封装结构）内部封装结构。画图说明多芯片组装（MCM）和三维封装的含义。将多个裸芯片不加封装，直接装载于同一印制板上并封装于同一壳体内哪些效应可能会造成集成电路的失效？电迁移现象？它的模式有哪些？集成电路的失效外壳漏气；外引线松动、锈蚀、断裂，芯片与外壳衬底粘结不良或脱落，内引线有缺陷或断裂，内引线与芯片或外壳的焊接不良，产生虚焊、金属铝膜氧化、腐蚀、损伤或断开；芯片表面有多余物、外来杂质，芯片表面漏电；芯片裂纹、破碎或缺损；氧化层有针孔或龟裂；表面击穿电迁移现象;电流在布线中运动时由于电子和铝原子的相互碰撞使铝原子发生迁移短路互连布线间电迁移而产生小丘堆积，引起相邻两条互连线短路，这在微波器件或VLSI中尤为多见。断路在金属化层跨越台阶处或有伤痕处，应力集中，电流密度大，可因电迁移而发生断开。画图说明MEMS压力传感器与湿度传感器的工作原理。说明：SOP,SOJ,QFP,BGA等封装含义，画出他们的外流程图。SOP小型平面引线式封装，引脚向外弯曲SOJ小型平面J 形引线式封装,引脚向外弯曲QFP四周平面引线式封装，引脚向外弯曲BGA球状栅阵电极封装简单介绍目前MEMS的四种主要加工技术？化学腐蚀反映离子刻蚀：高深宽比深槽刻蚀LIGA工艺牺牲层工艺画图说明光敏二极管、发光二极管、太阳能电池的工作原理。