忆阻模型的推广及应用.pdf

第37卷 分析化学(HNⅪHUAXUE) 增刊 2009年10月 ChineseJoumal EⅨ ofAnalyticalChemistry “忆阻模型的推广及应用 夏广杰 徐博磊 宣哲 陈露洪 毕树平幸 (南京大学化学化工学院， 南京210093) Memristor 2008年Nature01发表了专题评述—‘1me Found”．对LeonChua教授所提出 Missing 的“忆阻元件’捌的存在予以了明确证明。论文指出，根据对称性原理，目前存在的三种基本电子元 件(电阻、电容、电感)并不能完全涵盖电流、电压、电量以及磁场之间的关系，必须补充上一 个忆阻元件(Memristor：memoryresistor)才能使其对称性完备。而忆阻是联系磁通量与电量关 系的物理量，忆阻值的变化与元件中电荷的迁移与重新分布有关。只有在电荷流为线性条件下， 忆阻与电阻才是等价的。尽管忆阻的概念早已被提出，但过去人们并没有制造出真正的忆阻元件， 而更多的是采用其它元件对忆阻进行模拟，直到2008年年初ItP实验室宣布成功制造出了忆阻元 件，这一概念才又重新回到人们的视野。该元件由17根宽度为50nnl的纳米线排列组成，每根纳 米线有两层，分别为Ti02和Ti02_x．通电之后，这两层之间的界面将发生迁移，从而导致整条纳 D 米线的电阻值发生改变。针对这一发现，StrukovB等在Nature论文中详细地介绍了“忆阻”概念 【lJ，并且指出了它的潜在用途。例如，在过去40多年的时间里，科学家们在很多纳米级电子元件 中发现了诸如“迟滞效应”等异常现象，但却一直未能做出满意的解释。然而，忆阻体系恰好可 以衍生出丰富的迟滞效应，可以解释纳米元件中的许多异常现象。 ‘‘干乙阻”作为一种新型的电子元件是由LeonChua教授提出的【21。根据电流、电压、电量以及磁 通量之间相互关系的对称性破缺，有必要补上一种基本的电路元件来表征电量和磁通量的关系， 这便是忆阻。忆阻可以简单地被视为以电量为变量的非线性电阻。根据LeonChua教授的描述， 忆阻元件应当类似于其它三种基本元件，是一种无源元件。但是由于当时实验条件的限制，还无 法得到真实的忆阻元件，甚至连计算机模拟都无法使用。不过LeonChua教授巧妙地构造了一个 含源的集成电路(在电路内部加载偏压)，使其宏观上表现出忆阻元件的特性，这对后来研究忆阻 的性质以及进行进一步的模拟提供了一种思路。基于忆阻和电阻的表观相似性，LeonChua教授 还构建了一个更加广泛的忆阻模型【21。在没有计算机的帮助下，Leon Chua教授构造了一些电路对 忆阻模型进行了一些模拟，得到了忆阻模型的一些通性，这些性质和2008年liP实验室通过计算 机模拟所得结论一致13】，忆阻的概念从而最终得以确认。 国外对忆阻模型的研究经历了3个阶段：有源器件的模拟、无源器件的仿真以及在最近实现 的无源器件的实物化。 (1)有源器件的模拟：LeonChua教授通过控制电源网络的转换，将电阻、电容、电感等效 为具有忆阻输入输出特性的电路元件，这就是忆阻的有源器件模拟【l】。通过数学分析和对模拟网 络的测量，LeonChua教授得到了忆阻的电路特性，从而可以依据这些特性来指导人们发现各种 忆阻材料： (2)无源器件的仿真：众所周知，半导体材料中存在自由电子和空穴，它们可以在没有外接 电路的条件下长时间保存，同时电子和空穴又可以与电量口联系在一起。这正好与Memristor和 ^彳(g)重合。2008年HP实验室第一次提出通过半导体材料的掺杂制作忆阻元件【ll，并进行了 ‘E-,nilil：biIl@业iⅡ．cdD．∞ 万方数据万方数据 EⅨ 分